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Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器

频率:156.25MHZ

尺寸:7.00x5.00mm

Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器,尺寸7.00x5.00mm,频率156.25MHZ,输出逻辑LVDS,电压2.5V,频率稳定性7ppm,脚位6-SMD,XO时钟振荡器(标准),LVDS输出晶振,LVDS差分晶体振荡器,石英晶体振荡器,有源晶振,进口有源晶振,欧美进口晶振,7050mm有源振荡器,六脚贴片差分晶振,6G无线网络差分晶振,低电压差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,高性能差分晶振,视频专用晶振,产品很适合用于超声波/SDH,网络,SD/HD视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域.

Si530/531 XO有源晶振采用Skyworks Solutions的先进DSPLL®电路以提供高频下的低抖动时钟。Si530/531可用具有从10到945MHz的任意速率输出频率,并选择频率1400兆赫。与传统XO不同,在传统XO中每个输出频率,Si530/531使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器,提供卓越的频率稳定性和可靠性。Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器.


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Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器,尺寸7.00x5.00mm,频率156.25MHZ,输出逻辑LVDS,电压2.5V,频率稳定性7ppm,脚位6-SMD,XO时钟振荡器(标准),LVDS输出晶振,LVDS差分晶体振荡器,石英晶体振荡器,有源晶振,进口有源晶振,欧美进口晶振,7050mm有源振荡器,六脚贴片差分晶振,6G无线网络差分晶振,低电压差分晶振,低功耗差分晶振,低相位差分晶振,高性能差分晶振,视频专用晶振,产品很适合用于超声波/SDH,网络,SD/HD视频,测试和测量,时钟和数据恢复,FPGA/ASIC时钟生成等领域.

Si530/531 XO有源晶振采用Skyworks Solutions的先进DSPLL®电路以提供高频下的低抖动时钟。Si530/531可用具有从10到945MHz的任意速率输出频率,并选择频率1400兆赫。与传统XO不同,在传统XO中每个输出频率,Si530/531使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器,提供卓越的频率稳定性和可靠性。Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器.

Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器       参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
1.8 V option 1.71 1.8 1.89 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
CML
LVDS
CMOS



111
99
90
81
121
108
98
88
mA
Tristate mode 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x V DD V
VIL 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 85 ºC
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1,2 fO LVPECL/LVDS/CML 10 945 MHz
CMOS 10 160 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping
±1.5 ppm
Temperature Stability1,3 –7
–20
–50
  
  
+7
+20
+50
ppm
Aging fa Frequency drift over first year ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life
±10 ppm
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Total Stability Temp stability = ±7 ppm ±20 ppm
Temp stability = ±20 ppm ±31.5 ppm
Temp stability = ±50 ppm         ±61.5 ppm
Powerup Time4 tOSC         10 ms
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
LVPECL Output Option1 VO mid-level V DD – 1.42 V DD – 1.25 V
VOD swing (diff) 1.1 1.9 VPP
VSE swing (single-ended) 0.55 0.95 VPP
LVDS Output Option2 VO mid-level 1.125 1.20 1.275 V
VOD swing (diff) 0.5 0.7 0.9 VPP
CML Output Option2 VO 2.5/3.3 V option mid-level     V DD – 1.30     V
1.8 V option mid-level     V DD – 0.36     V
VOD 2.5/3.3 V option swing (diff) 1.10 1.50 1.90 VPP
1.8 V option swing (diff) 0.35 0.425 0.50 VPP
CMOS Output Option3 V OH I OH= 32 mA 0.8 x V DD     V DD V
VOL I OL= 32 mA         0.4 V
Rise/Fall time (20/80%) tR,t F LVPECL/LVDS/CML         350 ps
CMOS with CL= 15 pF     1     ns
Symmetry (duty cycle) SYM LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:
V DD – 1.3 V

1.25 V (diff)
V DD/2
45     55 %

Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器   尺寸图Si530 Si531

OSC晶振产品特征:

可用于任何速率的输出

频率从10兆赫到945兆赫

并选择1.4 GHz的频率

集成superior的第三代DSPLL

抖动性能 频率稳定性比高3倍

基于SAW的振荡器

内部固定晶振频率

确保高可靠性和低老化

可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML输出

3.3、2.5和1.8 V电源选项

行业标准5 x 7毫米

封装和引脚排列

无铅/符合RoHS标准Si530 Si531 1

Si530 Si531 2更多相关Silicon晶振型号

原厂代码 品牌 型号 频率 电压 频率稳定度
511ABA155M520AAG Silicon振荡器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon振荡器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Silicon振荡器 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Silicon振荡器 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531FC125M000DG Silicon振荡器 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC156M250DG Silicon振荡器 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531FC156M250DG Silicon振荡器 Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC148M500DG Silicon振荡器 Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC155M520DG Silicon振荡器 Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530AC155M520DG Silicon振荡器 Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531BC155M520DG Silicon振荡器 Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531FC200M000DG Silicon振荡器 Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
530BC148M500DG Silicon振荡器 Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
536EB156M250DG Silicon振荡器 Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536BB125M000DG Silicon振荡器 Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
531AC622M080DG Silicon振荡器 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC312M500DG Silicon振荡器 Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
510ABA000149BAG Silicon振荡器 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000149BAG Silicon振荡器 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAG Silicon振荡器 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510ABA106M250BAG Silicon振荡器 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA106M250BAG Silicon振荡器 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA74M2500BAG Silicon振荡器 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA000149BAG Silicon振荡器 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000149BAG Silicon振荡器 Si510 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510ABA74M2500BAG Silicon振荡器 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA000149AAG Silicon振荡器 Si510 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510ABA125M000AAG Silicon振荡器 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
510ABA106M250AAG Silicon振荡器 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA106M250AAG Silicon振荡器 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510ABA74M2500AAG Silicon振荡器 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149AAG Silicon振荡器 Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510BBA000149AAG Silicon振荡器 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA000149AAG Silicon振荡器 Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA74M2500AAG Silicon振荡器 Si510 74.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA74M2500AAG Silicon振荡器 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA106M250AAG Silicon振荡器 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000149AAG Silicon Crystal Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA74M2500AAG Silicon振荡器 Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA74M2500AAG Silicon振荡器 Si511 74.25MHz 2.5V ±25ppm
510FBA106M250AAG Silicon振荡器 Si510 106.25MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149AAG Silicon振荡器 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510ABA155M520BAG Silicon振荡器 Si510 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA155M520BAG Silicon振荡器 Si510 155.52MHz 2.5V ±25ppm
511FBA155M520BAG Silicon振荡器 Si511 155.52MHz 2.5V ±25ppm
510ABA000110BAG Silicon振荡器 Si510 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511ABA000110BAG Silicon振荡器 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm

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