Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器

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Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器

频率：156.25MHZ

尺寸：7.00x5.00mm

Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器，尺寸7.00x5.00mm，频率156.25MHZ，输出逻辑LVDS，电压2.5V，频率稳定性7ppm，脚位6-SMD，XO时钟振荡器（标准），LVDS输出晶振，LVDS差分晶体振荡器，石英晶体振荡器，有源晶振，进口有源晶振，欧美进口晶振，7050mm有源振荡器，六脚贴片差分晶振，6G无线网络差分晶振，低电压差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，高性能差分晶振，视频专用晶振，产品很适合用于超声波/SDH，网络，SD/HD视频，测试和测量，时钟和数据恢复，FPGA/ASIC时钟生成等领域.

Si530/531 XO有源晶振采用Skyworks Solutions的先进DSPLL®电路以提供高频下的低抖动时钟。Si530/531可用具有从10到945MHz的任意速率输出频率，并选择频率1400兆赫。与传统XO不同，在传统XO中每个输出频率，Si530/531使用一个固定晶体来提供宽范围的输出频率。这种基于IC的方法允许晶体谐振器，提供卓越的频率稳定性和可靠性。Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器.

订购热线：0755-27876201

Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器 参数表

Parameter	Symbol	Test Condition	Min	Typ	Max	Unit
Supply Voltage1	V DD	3.3 V option	2.97	3.3	3.63	V
		2.5 V option	2.25	2.5	2.75	V
		1.8 V option	1.71	1.8	1.89	V
Supply Current	IDD	Output enabled LVPECL CML LVDS CMOS	— — — —	111 99 90 81	121 108 98 88	mA
		Tristate mode	—	60	75	mA
Output Enable (OE)2		VIH	0.75 x V DD	—	—	V
		VIL	—	—	0.5	V
Operating Temperature Range	TA		–40	—	85	ºC

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1,2

LVPECL/LVDS/CML

—

945

MHz

CMOS

—

160

MHz

Initial Accuracy

Measured at +25 °C at time of
shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,3

–7
–20
–50

—

+7
+20
+50

ppm

Aging

Frequency drift over first year

—

±3

ppm

Frequency drift over 20 year
life

—

±10

ppm

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Total Stability

Temp stability = ±7 ppm

—

±20

ppm

Temp stability = ±20 ppm

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±50 ppm

±61.5

ppm

Powerup Time4

tOSC

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

LVPECL Output Option1

mid-level

V DD – 1.42

—

V DD – 1.25

VOD

swing (diff)

1.1

—

1.9

VPP

VSE

swing (single-ended)

0.55

—

0.95

VPP

LVDS Output Option2

mid-level

1.125

1.20

1.275

VOD

swing (diff)

0.5

0.7

0.9

VPP

CML Output Option2

2.5/3.3 V option mid-level

V DD – 1.30

1.8 V option mid-level

V DD – 0.36

VOD

2.5/3.3 V option swing (diff)

1.10

1.50

1.90

VPP

1.8 V option swing (diff)

0.35

0.425

0.50

VPP

CMOS Output Option3

V OH

I OH= 32 mA

0.8 x V DD

V DD

VOL

I OL= 32 mA

0.4

Rise/Fall time (20/80%)

tR,t F

LVPECL/LVDS/CML

350

CMOS with CL= 15 pF

Symmetry (duty cycle)

SYM

LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:

V DD – 1.3 V

1.25 V (diff)
V DD/2

Si531差分晶振|6G无线网络晶振|531FC156M250DG|Silicon低电流振荡器 尺寸图

OSC晶振产品特征:

可用于任何速率的输出

频率从10兆赫到945兆赫

并选择1.4 GHz的频率

集成superior的第三代DSPLL

抖动性能频率稳定性比高3倍

基于SAW的振荡器

内部固定晶振频率

确保高可靠性和低老化

可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML输出

3.3、2.5和1.8 V电源选项

行业标准5 x 7毫米

封装和引脚排列

无铅/符合RoHS标准

更多相关Silicon晶振型号

原厂代码	品牌	型号	频率	电压	频率稳定度
511ABA155M520AAG	Silicon振荡器	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510FBA148M500AAG	Silicon振荡器	Si510	148.5MHz	2.5V	±25ppm
511BBA155M520AAG	Silicon振荡器	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510BBA148M500AAG	Silicon振荡器	Si510	148.5MHz	3.3V	±25ppm
510ABA148M500AAG	Silicon振荡器	Si510	148.5MHz	3.3V	±25ppm
510DBA100M000AAG	Silicon振荡器	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
531AC125M000DG	Silicon振荡器	Si531	125MHz	3.3V	±7ppm
531FC125M000DG	Silicon振荡器	Si531	125MHz	2.5V	±7ppm
530AC156M250DG	Silicon振荡器	Si530	156.25MHz	3.3V	±7ppm
531FC156M250DG	Silicon振荡器	Si531	156.25MHz	2.5V	±7ppm
531FC148M500DG	Silicon振荡器	Si531	148.5MHz	2.5V	±7ppm
531AC155M520DG	Silicon振荡器	Si531	155.52MHz	3.3V	±7ppm
530AC155M520DG	Silicon振荡器	Si530	155.52MHz	3.3V	±7ppm
531BC155M520DG	Silicon振荡器	Si531	155.52MHz	3.3V	±7ppm
531FC200M000DG	Silicon振荡器	Si531	200MHz	2.5V	±7ppm
530BC148M500DG	Silicon振荡器	Si530	148.5MHz	3.3V	±7ppm
536EB156M250DG	Silicon振荡器	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm
536BB125M000DG	Silicon振荡器	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm
531AC622M080DG	Silicon振荡器	Si531	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531AC312M500DG	Silicon振荡器	Si531	312.5MHz	3.3V	±7ppm
510ABA000149BAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510BBA000149BAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000149BAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA106M250BAG	Silicon振荡器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA106M250BAG	Silicon振荡器	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA74M2500BAG	Silicon振荡器	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA000149BAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510FBA000149BAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA74M2500BAG	Silicon振荡器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510FBA000149AAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA125M000AAG	Silicon振荡器	Si510	125MHz	3.3V	±25ppm
510ABA106M250AAG	Silicon振荡器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA106M250AAG	Silicon振荡器	Si511	106.25MHz	2.5V	±25ppm
510ABA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000149AAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510BBA000149AAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510ABA000149AAG	Silicon振荡器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510FBA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si510	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510BBA106M250AAG	Silicon振荡器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA000149AAG	Silicon Crystal	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510BBA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA74M2500AAG	Silicon振荡器	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
510FBA106M250AAG	Silicon振荡器	Si510	106.25MHz	2.5V	±25ppm
511BBA000149AAG	Silicon振荡器	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510ABA155M520BAG	Silicon振荡器	Si510	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510FBA155M520BAG	Silicon振荡器	Si510	155.52MHz	2.5V	±25ppm
511FBA155M520BAG	Silicon振荡器	Si511	155.52MHz	2.5V	±25ppm
510ABA000110BAG	Silicon振荡器	Si510	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511ABA000110BAG	Silicon振荡器	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm

Si531差分晶振 6G无线网络晶振 531FC156M250DG Silicon低电流振荡器

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