今天世卫组织估计心血管疾病（CVDs）是全球死亡的主要原因，估计每年夺走1790万人的生命。心律失常占这些死亡的很大一部分。准确、快速地识别心律失常风险最高的患者并确保他们获得适当、及时的治疗可以防止过早死亡。新技术通过解析心脏波形中更小的信号和更精细的细节，石英晶振，提供了提高传统ECG监护设备精度和功效的机会，从而实现更具体的诊断。
使用动态心脏监护仪CAM打造更智能的市场
准确的诊断始于准确的心电图追踪。更广为人知的心电图或心电图/EKG是一种旨在记录心脏电活动的设备。这种设备是非侵入性的，通常涉及放置在胸部和四肢皮肤上的电极，以测量心脏的电活动。输出信号可用于确定或检测可能导致心脏骤停、中风或意识丧失的异常心律（即心律失常）。这些监护仪被称为长期心电图（LT-ECG）监护仪，可全天候佩戴长达14天，无需更换监护电极，允许患者淋浴、舒适睡眠和进行锻炼。这与历史上的霍尔特监护仪形成了鲜明的对比，后者仅佩戴1-2天，带有多根悬空导线和简单的工程和心律分析。Bardy博士的发明CAM贴片是一种LT-ECG设备，具有出色的舒适性和顺应性。
“虽然传统监护仪在检测R波（心脏发出的最大电信号）方面表现出色，并且R波无疑是心脏波形的重要组成部分，但仅靠R波不足以诊断许多异常心律。”加布里埃尔说。“在其他波的低振幅偏移中隐藏了太多其他信息。波形形状的微小变化可能对帮助人们获得改善健康和管理严重疾病所需的特定治疗至关重要。”
在设计的各个层面上，CAM系统都需要进行优化，以捕捉这些微小而微妙的信号。然而，人为因素至关重要，因为该设备需要对患者的日常活动造成最低程度的干扰。
“老实说，当你的身体上缠绕着一条由电缆和传感器组成的章鱼时，就像典型的心脏监护仪一样，你唯一能去的地方就是躲在卧室里。”
从巴蒂博士的角度来看，如果你想实践好的医学并彻底革新一个领域，设计的每个方面都至关重要。从包装到心电图过度读数人员的培训，每件产品都必须用心制作。然而，一切都围绕着Bardy监视器的关键功能:感知来自心脏的非常细微的电信号的能力。这既是一个电气设计挑战，也是一个机械、生物和化学挑战。尺寸、重量和舒适度对成功至关重要。但如果没有心电图的细微细节，其他一切都没有什么价值。
加布里埃尔直言不讳地反映了该公司对质量和清晰度的坚定承诺以及患者至上的精神。“勇于尝试不同的东西是关键。50年前最先进的药物如今却成了劣药。CAM非常像一朵花，花瓣是设计的不同方面:化学、机械、电气、固件、软件、硬件、算法，尤其是做出最终过度阅读决策的人。如果只摘下一片花瓣，花朵的美丽就会大打折扣。”
Silicon EFM32TG210 MCU是便携式心脏监护仪
Silicon Labs晶振厂家花了20多年的时间来磨练其无线通信技术，以便像Bardy Diagnostics这样的公司能够推动其领域的创新。开发无线医疗设备有三个基本的工程挑战。您必须保证以精确和快速的方式提供准确的测量结果，您需要通过强大的技术来增强医疗设备的无线安全性，并且您必须通过设计强大的技术和低功耗来最大限度地延长电池寿命。
Bardy Diagnostics的小型轻量级CAM补丁基于Silicon Lab EFM32架构。患者接口传感器连接到系统的心脏EFM32TG210 MCU。该器件提供集成外设（ADC、SPI、异步串行接口和定时器功能），功耗极低，使CAM补片能够有效“观察”心脏的细微细节，从而将CAM补片与其他监护仪区分开来。
Silicon EFM32TG210 MCU是便携式心脏监护仪
“首先，ADC提供分辨率和滤波选项，以确保他们能够获得所需的原始数据采集，同时保持在功耗预算范围内。其次，与其他架构相比，EFM32TG微控制器的电源管理可显著节省功耗。凭借极快的睡眠和唤醒转换、外设的自动操作和低功耗时钟生成，EFM32TG超出了系统要求，使用标准CR1225电池可实现长达14天的连续ECG记录。硅实验室的布莱恩·布鲁姆解释道。Gabriel还指出，贴片晶振，EFM32TG210的性能和功耗模式允许他们按照规格设计和构建CAM补丁，并最终实现预期的结果。他坚持认为，在设计设备时，拥有满足性能预期的MCU是保持项目进度和预算的关键。“EFM32架构非常出色，仅用48 mAh CR1225电池就可以进行长达14天的完整披露记录。被捕获的信号可以低至150uVpp，即使在这个范围内，模拟波形的细节也能保持清晰。EFM32架构包含高性能ADC，可以捕捉这些细节，同时保持电磁安静的辐射特性，使小细节不会受到干扰的阻碍。集成过采样和异常稳定且可配置的ADC特性是救命稻草。EFM32架构在当时绝对是革命性的，大多数芯片供应商仍在追赶。"
我们的高能效EFM32微型Gecko微控制器（MCU）具有低功耗优势，例如掉电、满RAM和寄存器保留。我们的微型Gecko 32位MCU采用4x4mm小尺寸封装石英晶振，运行模式下的功耗低至150 μA/MHz，实时计数器运行时的功耗低至1μA，非常适合能源敏感型应用。Tiny Gecko MCU系列采用行业标准的ARM Cortex -M3处理器，提供自主、高能效外设以及高度的晶体和模拟集成。
巴蒂诊断公司的未来如何？
“该平台最明显的目标是更小、更轻、运行时间更长、连接更好。我们着眼于新一代Silicon Labs EFM32设备，如Pearl Gecko和支持蓝牙的BG22，以实现该领域的未来改进。”加布里埃尔说。
蓝牙是连接的首选，因为它提供了一种经过充分测试的成熟无线解决方案，而且功耗低，可与患者的移动设备或其他支持蓝牙的网关互操作，并且协议具有很大的灵活性，可以权衡吞吐量、延迟和能耗。蓝牙安全提供了出色的保护，包括安全配对、128位加密、数据隐私、反跟踪等。
随着CAM贴片继续推动动态心脏监测和诊断的发展，看到巴蒂博士的愿景（主要基于他的个人经历）正在帮助世界各地的患者，令人非常温暖。
| 原厂代码 | 晶振厂家 | 型号 | 频率 | 电压 | 频率稳定度 | 包装/封装 |
| 510BBA156M250BAGR | Silicon晶振 | Si510 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 511FBA125M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 125MHz | 2.5V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 511BBA100M000AAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530BA125M000DG | Silicon晶振 | Si530 | 125MHz | 3.3V | ±50ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531FB125M000DG | Silicon晶振 | Si531 | 125MHz | 2.5V | ±20ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530BB100M000DG | Silicon晶振 | Si530 | 100MHz | 3.3V | ±20ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530FC156M250DG | Silicon晶振 | Si530 | 156.25MHz | 2.5V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 510ABA125M000BAG | Silicon晶振 | Si510 | 125MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 511BBA74M2500BAG | Silicon晶振 | Si511 | 74.25MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 510BBA156M250BAG | Silicon晶振 | Si510 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 511ABA156M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 510FBA200M000BAG | Silicon晶振 | Si510 | 200MHz | 2.5V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 510ABA200M000BAG | Silicon晶振 | Si510 | 200MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530FA156M250DG | Silicon晶振 | Si530 | 156.25MHz | 2.5V | ±50ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531BC000110DG | Silicon晶振 | Si531 | 148.35165MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 535FB125M000DG | Silicon晶振 | Si535 | 125MHz | 2.5V | ±20ppm | 6-SMD, No Lead |
| SI50122-A4-GM | Silicon晶振 | SI50122-A4 | 100MHz | 2.25 V ~ 3.63 V | +100ppm | 石英晶体振荡器 |
| 511ABA156M250AAGR | Silicon晶振 | Si511 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530FC125M000DG | Silicon晶振 | Si530 | 125MHz | 2.5V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531BC200M000DG | Silicon晶振 | Si531 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531BC250M000DG | Silicon晶振 | Si531 | 250MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530AC622M080DG | Silicon晶振 | Si530 | 622.08MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 511FBA100M000BAG | Silicon晶振 | Si511 | 100MHz | 2.5V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 511BBA106M250BAG | Silicon晶振 | Si511 | 106.25MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 510BBA156M250AAG | Silicon晶振 | Si510 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 510ABA156M250AAG | Silicon晶振 | Si510 | 156.25MHz | 3.3V | ±25ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531BC125M000DG | Silicon晶振 | Si531 | 125MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530AC125M000DG | Silicon晶振 | Si530 | 125MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531FB106M250DG | Silicon晶振 | Si531 | 106.25MHz | 2.5V | ±20ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531AC156M250DG | Silicon晶振 | Si531 | 156.25MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531AC200M000DG | Silicon晶振 | Si531 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531BC148M500DG | Silicon晶振 | Si531 | 148.5MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530AC200M000DG | Silicon晶振 | Si530 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530BC200M000DG | Silicon晶振 | Si530 | 200MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 531BC156M250DG | Silicon晶振 | Si531 | 156.25MHz | 3.3V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
| 530FC200M000DG | Silicon晶振 | Si530 | 200MHz | 2.5V | ±7ppm | 6-SMD, No Lead |
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