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CTS的突破创新型小封装高质量的石英晶体谐振器,很适合用于通信设备领域416F260X3AKR

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 浏览：- 发布日期：2022-06-27 13:38:06【大 中 小】
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CTS的突破创新型小封装高质量的石英晶体谐振器,很适合用于通信设备领域416F260X3AKR，密封性试验确定包内是否存在任何泄漏。通常指定两个测试:粗漏和细漏。大多数水晶包都应该通过这两种方法。总泄漏测试涉及有些气泡通过将晶体浸入液体腔来抑制。精细泄漏测试系统使用氦作为示踪气体和氦探测器。可以检测到低至1x10-9cc/秒的水平。大多数无源晶体规格为1x10-8cc/秒。良好的密封性将确保良好的老化水晶的生命。

416F27113AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
416F27113ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
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可焊性试验确定焊料对铅或晶片的润湿性。在使用较弱助焊剂或不清洁的大批量生产中，良好的可焊性是必要的工序减少对板洗的需要。蒸汽老化是一种用于验证的试验方法随着时间的推移，可获得良好的可焊性性能。这种预条件作用使引线具有蒸汽可焊性测试前可帮助刺激长达6个月的保质期。这可能是对您的应用程序很重要。如果你在收到水晶后迅速使用，蒸汽测试可能不需要。通过指定MIL-STD-202，方法208，需要蒸汽预处理。要求这个测试对您的晶体可能会略有影响的价格，所以它可能是您的优势，考虑您的应用程序之前指定蒸汽预处理。CTS的突破创新型小封装高质量的石英晶体谐振器,很适合用于通信设备领域416F260X3AKR
416F27125ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
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活动下降

一种不需要的晶体特性，它表现为无源晶体电阻和共振频率的突然变化，随后又同样突然地恢复到先前的值。活度下降受到晶体驱动电平和负载电容的强烈影响。

416F271XXATR CTS晶振 416 MHz Crystal 27.12MHz
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老化

由于石英晶体谐振腔内部的变化而引起的频率随时间的系统变化。老化常以每年百万分之一的最大值来表示[ppm/年]。衰老的速度在本质上是对数的。影响晶体老化的因素有:谐振腔表面的污染物吸附和解吸，安装和连接结构的应力消除，材料放气，以及密封完整性。

416F30025CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F30033ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30033CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30033CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F30033CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F30033CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F300X3CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXAAR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXADR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXAKR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
谐振腔空白被切出的角度[以度、分、秒指定]相对于主晶体轴的石英材料。切割角度是一个主要因素控制压电石英晶体单元的频率与温度性能。

AT切割晶体单元

对一种特定类型的石英晶体切割的分类。AT剪是最受欢迎的剪法在MHz范围内的晶体单元今天制造的类型。AT Cut是一种厚度-剪切体声波[BAW]晶体单元，在室温附近具有三次频率随温度变化的拐点曲线。它因其优良的温度频率特性而广受欢迎。

416F300XXALR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXASR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXATR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCAR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCDR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCKR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
416F300XXCLR CTS晶振 416 MHz Crystal 30MHz
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416F32011CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32012AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32012ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32012CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32013ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32013CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32023CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32023CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
基地

底座通常被称为支架或表头，是石英晶体单元包的子组件。

空白

一种半加工的石英晶体谐振器，通常没有电极镀层及其支架或底座。

416F32025AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025ATR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32025CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32033CAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CDR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32033CLR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32033CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32035ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32035CKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
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416F32035CSR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F32035CTR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2AAR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2ADR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2AKR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2ALR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
416F320X2ASR CTS晶振 416 MHz Crystal 32MHz
BT切割晶体装置

对一种特定类型的石英晶体切割的分类。BT切割以与at切割近似相反的角度加工，被归类为厚度剪切晶体单元抛物线型频率随温度变化曲线，其拐点在室温附近。因此，在给定的工作温度范围内，BT切割晶体将表现出更高的频率shift比AT切割晶体。

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