深圳康比电子有限公司

6G无线设备专用的无源晶体EB2532YA12-27.000M TR，Ecliptek日蚀全球技术领先的频率元器件制造商，在技术方面有极高的造诣，凭着自身对于晶体产品的热爱，不断深入研究晶振产品相关知识，通过日积月累，如今已是拥有晶振相关知识体系最庞大的公司，同时又以石英晶体产品为主导，开发系列高品质晶振产品，编码为EB2532YA12-27.000M TR，型号EB2532，尺寸为3.20mm x 2.50mm，频率为27.0000MHZ，CRYSTAL，SMD无源晶体，负载电容12PF，产品具备良好的耐压性能和高可靠性能，比较适合用于高精密应用程序，比如6G无线设备，智能家居，蓝牙音响，数字视频，物联网，小型设备等领域。

来自石英晶体专家日蚀公司的产品范围包括SMD压电石英晶体具有非常低的电阻，用于极其快速和可靠的振荡启动。这些是EB2532(采用3.2x2.5mm/4焊盘陶瓷外壳)和EB1620(采用2.0x1.6mm/4焊盘陶瓷外壳)系列等。在我们广泛的在线测试过程中，我们总是发现被测振荡器级的负输入电阻非常低，因此IC之间存在非常大的色散。但是应用程序必须变得越来越小，这意味着开发工程师必须依赖小型石英晶体外壳。

SA164系列汽车级石英晶体，SA164型集成了一个低成本、高Q值、小尺寸1.6x1.2mm石英晶体谐振器，四脚贴片晶振，专用于汽车电子的扩展温度范围。

特征：
符合AEC-Q200标准
密封陶瓷表面贴装封装SMD晶振
基础晶体设计
频率范围24-60MHz
频率容差，30ppm标准
频率稳定性，50ppm标准
工作温度范围为-55℃至+125℃
胶带和卷轴包装，EIA-481

SA164系列石英晶体SA16426MHZF35GAR专用于汽车电子的扩展温度范围,石英晶体谐振器

京瓷旨在为世界创造更美好的未来，利用技术的力量解决我们作为全球社会面临的问题。这一雄心植根于我们的京瓷经营理念：为社会和人类的进步做出贡献。

我们将继续与世界各地的人们合作，利用我们在 60 多年历史中积累的所有技术和管理能力，解决对社会至关重要的问题。京瓷推出微型振荡器KC5032A12.0000CM0E00广泛适用于通信和摄影等领域

CTS晶振公司宣布大幅扩展其汽车级晶体谐振器产品组合。此次扩展包括四个新的晶体系列以及对先前发布的型号的性能升级，所有型号均专为需要宽工作温度范围的汽车、工业、医疗和商业军事/航空航天应用而设计。每个晶体平台均在经过TS16949认证的生产线上制造，符合AEC-Q200标准，符合PPAP，并在标准汽车温度范围（-55°C至+125°C）下运行。

CTS新系列汽车级晶体谐振器在扩展温度范围内提供出色的稳定性能，新系列汽车级石英晶体谐振器在扩展温度范围内提供出色的稳定性能，非常适合各种细分市场中的无风扇应用，包括物联网/工业物联网、电信基础设施、网络、服务器应用、测试和测量以及医疗诊断设备。我们的汽车级晶体产品组合加入了CTS现有的汽车级音叉晶体[TFA]和时钟晶体振荡器[CA]产品系列。

新型号包括：SA164、SA204、SA254 和SA532 [2-pad]。此外，传统金属封装[HC-49/US-SM]已升级为包括汽车级选项，并以型号名称HTA发布。标准产品特性、常见市场应用和新系列平台总结如下。

ACT推出了他们的新OCXO晶振系列。编码OX75-2000M-0070-PF系列，特征：

产品描述：15pF，HCMOS-OCXO
标称频率：20.000MHz
包装尺寸：7.5x5.5x3.3mm毫米
ACT内部代码：D1
频率范围：20.0MHz
电源电压：3.3V±5%
输出波形HCMOS
输出负载：15pF

可操作的工作温度：-40℃至+95℃ 

储存温度：‐55℃～+105℃
输出电压低：0.33V，最大Vcc = 3.3V，负载= 15pF
输出电压高：2.40V最小Vcc = 3.3V，负载= 15pF
占空比：45%/55% @50%
上升/下降时间：25°C时最大5.0ns，10%~90%，

有效波形前的启动时间：最大15.0毫秒，射频输出波形在以下范围内的时间输出电平、占空比和上升/下降时间，投机。

ACT晶振可以在全球范围内支持您的频率控制要求.通过使用Esterline的专有技术,我们为市场上最高性能的TCXO和OCXO提供全面的设计支持。无论您需要新技术，如M-SAC增强型振荡器，还是简单的基本石英晶振，我们的工程团队都将帮助您为您的应用选择合适的解决方案，并在整个设计周期和生产过程中为您提供支持。

频率稳定度：Vs工作温度0.1ppm，TA从‐40°C至+95°C不等，测量值参考观察到的频率，fref =(fmax+fmin)/2，Vcc 3.3V，负载15pF，温度变速小于2摄氏度/分钟。
频率容差与电源电压的关系:0.005 ppm(25°C时)，Vcc范围为3.13V至3.47V
频率容差与负载的关系:0.01ppm，参考10%负载变化测量至+25°C，Vcc下观察到的频率=3.3V，负载15pF
频率与温度斜率的关系:5.0 ppb/℃，测试环境坡度1 ℃/分钟，温度窗口过度工作，温度范围。包括滞后效果。设备斜率测量相关注释中描述的资格。
在工作温度范围内，15年的总容差为4.6ppm
回扫精度0.025ppm，周期：1??通电1小时，断电15分钟，2?ǖ打开电源。第一次阅读30年代后2?ǖ的权力开，参考上一次频率读数断电前，温度从‐40°C到95°C不等，
预热时间最长60秒，射频输出在0.025ppm以内的时间，参考1h后的最后频率读数
启动。温度从‐40°C到95摄氏度。

由Transko制造的振荡器可以分为四类: 1.时钟振荡器 2.压控晶振 3.TCXO温补晶体振荡器 4.OCXO恒温振荡器。

制造晶体振荡器的基本过程: 薄膜金属涂层晶体安装在输入端，并装配期间石英晶体振荡器模块的输出端子。晶体在安装到模块上后进行校准 然后密封零件并进行最终测试

什么是频率稳定度？
制造振荡器时，术语“频率稳定性”
包括所有原因引起的频率变化:
1.校准
2.工作温度范围
3.震惊
4.震动
5.湿度
6.输入电压
7.老化
8.负载变化
什么是逻辑水平？
逻辑电平是信号的有限状态之一，可以有逻辑电平通常由信号和地之间的电压差(或一些其他公共参考点)，尽管其他标准存在。代表每个的电压电平范围状态取决于所使用的逻辑系列。这是一些振荡器的逻辑族。
1.晶体管-晶体管逻辑。
2.互补型金属氧化物半导体
3.互补金属氧化物半导体
4.低电压差分信号
5.电子学元件实验室(Electronics Components Laboratory)
6.(吕)PECL

扇出的是什么？ 

该术语定义了振荡器将驱动的栅极负载数量。振荡器必须有足够的吸收能力当前能力，必须能够交付足够为多个栅极负载供电的电流。

使能/禁用模式与三态模式有什么区别？ 

三态模式类似于使能/禁用。当...的时候 在引脚1上有一个“逻辑1 ”,该单元的工作方式与正常的“启用”相同，产生指定的输出。当 引脚1为“逻辑0 ”,它进入高阻态或三态 模式。三态模式允许客户移除石英晶体振荡器从电路中移除，而不需要物理移除它。 这是有用的调整，测试或故障排除他们的董事会。 但是禁用模式比其正常工作电流低，但没有完全切断，这意味着有电流 漂浮着。因此，如果不使用，控制引脚可以保持开路。

什么是抖动？ 

抖动是周期性的特征的时间变化 信号。抖动有多种来源。周而复始 抖动是相邻周期之间的时间差 信号。峰峰值周期抖动是最差情况。 周期抖动是时钟信号的最大变化。这 均方根周期抖动是峰峰值周期抖动的标准偏差。我们将峰峰值近似为7倍 均方根值。可以测量每个周期的抖动 循环，而不是多次循环。

什么是启动时间？ 

启动时间是从施加电压开始的时间振荡器的输出是稳定的。

什么是相位噪声？ 

相位噪声衡量振荡器的短期频率不稳定性。它被测量为单边带 由频率变化产生的噪声，单位为分贝在振荡器工作频率的两个或两个以上的频率位移处，使用1Hz的带宽吹除振荡器工作频率的振幅。由Transko制造的相位噪声测量设备 (TPNA-2001A)，哪一个适合振荡器。

什么是上升和下降时间？ 

上升时间(Tr)定义了脉冲达到以下值所需的时间 达到规定的最小值，“1”级。下降时间(Tf)是 降至规定的最大“0”水平所需的时间

可穿戴和低功耗:性能优化的石英晶体,物联网市场正以爆炸式的速度增长，物联网相关的行业预测为4700亿美元硬件、软件和其他全面的解决方案。目前安装了154亿台设备 预计到2020年将超过307亿。包括英特尔、ARM、三星和高通在内的主要IC OEM厂商都在积极参与开发，降低到10纳米甚至7纳米FinFET结构的工艺几何尺寸。

这一行业趋势背后的主要驱动力与总消耗量的减少有关动力，同时提升整体性能。这项努力是为了促进实际的实施电池供电的终端解决方案(消费电子、医疗、物联网、工业等。)，需要在功能丰富的环境中功耗极低。然而，这些进步显著地冲击了传统的时钟电路集成时钟方案，主要基于世界著名的皮尔斯振荡器配置。

随着低功耗工作变得至关重要，电流镜偏置反相放大器级Pierce振荡器环路中的“饥饿”放大器。这种方法对反相放大器模块的跨导，进而对正向增益产生深远影响石英晶体振荡器电路的裕量(GM)。

正向增益(GM)和放大器跨导之间的关系定义如下: GM=gm / gmcritical (1) 鉴于: gm =反相放大器的跨导，单位为A/V gm(critical) =使放大器保持在线性区域的临界跨导值 对于使用反相放大器作为增益级的鲁棒振荡，已经建立了一个很好的 行业惯例以GM > 5.0为目标，最低期望值> 3.0。对于闭环振荡器电路，gm(临界)定义如下: gm(临界)= 4 * ESR * (2πF)2*(C0 +氯)2 (2)

ESR=谐振器元件(通常为石英晶体)的有效串联电阻…单位为kω或 ω的。

F=谐振器元件的谐振频率(在石英晶体的情况下，通常是平行的特定电镀负载下的共振频率)…单位为kHz或MHz C0 =复合封装和谐振器元件的电极电容……单位为pF。 CL =谐振器元件的电镀负载……单位为pF。 根据等式(1)，为了获得更高的gm值，最好降低GM(临界)值。来自等式 (2)对于增加GM值的最终目标，关键是减少所有三个参数的影响 (ESR、C0和CL)。

通过仔细设计电极图案以及利用，可以很好地控制C0的值先进的小尺寸陶瓷封装。然而，ESR和CL提出了一个独特的挑战。 这两个参数具有不同的相关性，这意味着随着CL降低，ESR趋于上升，因此净影响趋于持平或恶化。这一挑战随着内在gm值的显著降低而进一步加剧 几何FPGAs、控制器、处理器、ASSP等。例如，基于14纳米节点，低能耗控制器规定32.768kHz嵌入式振荡器环路的gm值低至2.7 A/V。让我们举例说明在固定gm和下，不同电镀负载对闭环增益余量(GM)的影响32.768k晶振环路中的C0值，音叉、32.768kHz晶体的ESR方差。从该分析中可以明显看出，晶体电镀负载对闭环增益余量(GM)有着深远的影响；具有固定的C0和gm值。此外，随着gm值在10nm和更小的范围内减小 几何硅，维持振荡的能力将变得越来越具有挑战性。