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美国Silicon晶振/511BBA100M000BAG/6G室内路由器晶振/Si511有源差分振荡器

频率:100MHZ

尺寸:5.00x3.20mm

美国Silicon晶振/511BBA100M000BAG/6G室内路由器晶振/Si511有源差分振荡器,尺寸5.00x3.20mm,频率100MHZ,电压3.3V,频率稳定性25ppm,输出逻辑LVDS,XO时钟振荡器(标准),OSC振荡器,有源晶体振荡器,有源贴片晶振,欧美进口晶振,5032mm有源晶振,LVDS差分晶振,LVDS输出晶振,六脚贴片晶振,低抖动差分晶振,以太网专用差分晶振,电信差分晶振,交换机差分晶振,Si510/511 XO采用Skyworks Solutions的先进DSPLL技术以提供从100kHz到250MHz的任何频率。与传统XO不同其中每个输出频率需要不同的晶体,Si510/511使用一块固定水晶和Skyworks Solutions的专有DSPLL合成器,以生成该范围内的任何频率。此IC基于该方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性,改进的机械坚固性和优异的稳定性。

OSC振荡器产品可广泛用于SONET/SDH/OTN,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,交换机/路由器,FPGA/ASIC时钟生成等领域.美国Silicon晶振/511BBA100M000BAG/6G室内路由器晶振/Si511有源差分振荡器.



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美国Silicon晶振/511BBA100M000BAG/6G室内路由器晶振/Si511有源差分振荡器,尺寸5.00x3.20mm,频率100MHZ,电压3.3V,频率稳定性25ppm,输出逻辑LVDS,XO时钟振荡器(标准),OSC振荡器,有源晶体振荡器,有源贴片晶振,欧美进口晶振,5032mm有源晶振,LVDS差分晶振,LVDS输出晶振,六脚贴片晶振,低抖动差分晶振,以太网专用差分晶振,电信差分晶振,交换机差分晶振,Si510/511 XO采用Skyworks Solutions的先进DSPLL技术以提供从100kHz到250MHz的任何频率。与传统XO不同其中每个输出频率需要不同的晶体,Si510/511使用一块固定水晶和Skyworks Solutions的专有DSPLL合成器,以生成该范围内的任何频率。此IC基于该方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性,改进的机械坚固性和优异的稳定性。

OSC振荡器产品可广泛用于SONET/SDH/OTN,千兆以太网,光纤通道/SAS/SATA,PCI Express,3G-SDI/HD-SDI/SDI,电信,交换机/路由器,FPGA/ASIC时钟生成等领域.美国Silicon晶振/511BBA100M000BAG/6G室内路由器晶振/Si511有源差分振荡器.

美国Silicon晶振/511BBA100M000BAG/6G室内路由器晶振/Si511有源差分振荡器       参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency FO CMOS, Dual CMOS 0.1 212.5 MHz
FO LVDS/LVPECL/HCSL 0.1 250 MHz
Total Stability* Frequency Stability Grade C –30 +30 ppm
Frequency Stability Grade B –50 +50 ppm
Frequency Stability Grade A –100 +100 ppm
Temperature Stability Frequency Stability Grade C –20 +20 ppm
Frequency Stability Grade B –25 +25 ppm
Frequency Stability Grade A –50 +50 ppm
Startup Time TSU Minimum V DD until output
frequency (FO) within specification
10 ms
Disable Time TD FO> 10 MHz 5 µs
FO< 10 MHz 40 µs
Enable Time TE FO> 10 MHz 20 µs
FO< 10 MHz 60 µs

美国Silicon晶振/511BBA100M000BAG/6G室内路由器晶振/Si511有源差分振荡器   尺寸图Si510 Si511

有源晶振产品特征:

支持来自的任何频率

100kHz至250MHz

低抖动操作

2-4周交付周期

总体稳定性包括10年变老

综合生产试验

覆盖范围包括晶体ESR和DLD

用于电源的片上LDO调节器

电源噪声滤波

3.3、2.5或1.8 V操作

差分(LVPECL、LVDS、,HCSL)或CMOS输出选项

可选集成1:2 CMOS扇出缓存

OE和接通电源

行业标准5 x 7、3.2 x 5,和2.5 x 3.2毫米封装

无铅,符合RoHS

–40至85℃操作Si510 Si511 1Si510 Si511 2

更多相关Silicon晶振型号

Manufacturer Part Number原厂代码 Manufacturer品牌 Series型号 Frequency 频率 Voltage - Supply电压 Frequency Stability频率稳定度
531FB200M000DG Silicon振荡器 Si531 200MHz 2.5V ±20ppm
530FB200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 2.5V ±20ppm
530BC156M250DG Silicon振荡器 Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531FC250M000DG Silicon振荡器 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
511BBA100M000BAG Silicon振荡器 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000BAG Silicon振荡器 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000BAG Silicon振荡器 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
511ABA100M000AAG Silicon振荡器 Si511 100MHz 3.3V ±25ppm
511BBA000110BAG Silicon振荡器 Si511 148.35165MHz 3.3V ±25ppm
511BBA148M500AAG Silicon振荡器 Si511 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000BAG Silicon振荡器 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
510BBA200M000BAG Silicon振荡器 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
511FBA200M000AAG Silicon振荡器 Si511 200MHz 2.5V ±25ppm
511ABA25M0000BAG Silicon振荡器 Si511 25MHz 3.3V ±25ppm
511FCA100M000BAG Silicon振荡器 Si511 100MHz 2.5V ±20ppm
511BCA100M000BAG Silicon振荡器 Si511 100MHz 3.3V ±20ppm
530BA125M000DG Silicon振荡器 Si530 125MHz 3.3V ±50ppm
531FB125M000DG Silicon振荡器 Si531 125MHz 2.5V ±20ppm
530BB100M000DG Silicon振荡器 Si530 100MHz 3.3V ±20ppm
530FC156M250DG Silicon振荡器 Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
510ABA125M000BAG Silicon振荡器 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511BBA74M2500BAG Silicon振荡器 Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAG Silicon振荡器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA156M250BAG Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA200M000BAG Silicon振荡器 Si510 200MHz 2.5V ±25ppm
510ABA200M000BAG Silicon振荡器 Si510 200MHz 3.3V ±25ppm
530FA156M250DG Silicon振荡器 Si530 156.25MHz 2.5V ±50ppm
531BC000110DG Silicon振荡器 Si531 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
535FB125M000DG Silicon振荡器 Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
SI50122-A4-GM Silicon振荡器 SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511ABA156M250AAGR Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
530FC125M000DG Silicon振荡器 Si530 125MHz 2.5V ±7ppm
531BC200M000DG Silicon振荡器 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DG Silicon振荡器 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
530AC622M080DG Silicon振荡器 Si530 622.08MHz 3.3V ±7ppm
511FBA100M000BAG Silicon振荡器 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250BAG Silicon振荡器 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250AAG Silicon振荡器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510ABA156M250AAG Silicon振荡器 Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
531BC125M000DG Silicon振荡器 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
530AC125M000DG Silicon振荡器 Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
531FB106M250DG Silicon振荡器 Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon振荡器 Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon振荡器 Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon振荡器 Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon晶振 Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon振荡器 Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon振荡器 Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon振荡器 Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon振荡器 Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon振荡器 Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon振荡器 Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon振荡器 Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon振荡器 Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon振荡器 Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon振荡器 Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
510BBA100M000AAG Silicon振荡器 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510BBA125M000AAG Silicon振荡器 Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
511FBA100M000AAG Silicon振荡器 Si511 100MHz 2.5V ±25ppm
511BBA106M250AAG Silicon振荡器 Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA148M500BAG Silicon振荡器 Si511 148.5MHz 2.5V ±25ppm
510FBA148M500BAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA156M250BAG Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA156M250BAG Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA148M500BAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon振荡器 Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon振荡器 Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon振荡器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon振荡器 Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon振荡器 Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Silicon振荡器 Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Silicon振荡器 Si531 125MHz 3.3V ±7ppm

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X1G004861000800,122.88MHz,VG7050CDN,爱普生7050mm有源晶振日本进口晶振,EPSON晶振,爱普生晶振,型号:VG7050CDN,编码为:X1G004861000800,频率容差:±50ppm,频率:122.880 MHz,CMOS输出晶振,工作温度范围:-40℃至+85℃,电源电压:3.135V to 3.465V,小体积晶振尺寸:7.0x5.0x1.5mm表面安装,六脚贴片晶振,VCXO振荡器压控晶振,有源晶振,7050晶振,石英晶振,石英晶体振荡器,SMD晶振。具有超小型晶振,轻薄型晶振,高品质晶振,低抖动晶振,低功耗晶振,低电源电压晶振,低损耗晶振,低相位噪声晶振,低耗能等特点。应用于:移动通讯晶振,汽车电子晶振,无线蓝牙晶振,医疗设备晶振,导航仪晶振,物联网等应用。
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VG7050CDN,X1G004861000600,7050mm,125MHz,EPSON压控晶振
VG7050CDN,X1G004861000600,7050mm,125MHz,EPSON压控晶振
VG7050CDN,X1G004861000600,7050mm,125MHz,EPSON压控晶振日本进口晶振,EPSON晶振,爱普生晶振,型号:VG7050CDN,编码为:X1G004861000600,频率:125MHz,CMOS输出晶振,频率容差:±50ppm,工作温度范围:-40℃至+85℃,电源电压:3.135V to 3.465V,小体积晶振尺寸:7.0x5.0x1.5mm,六脚贴片晶振,石英晶振,VCXO压控晶振,压控晶体振荡器,有源晶振,石英晶体振荡器,7050晶振,SMD晶振。具有超小型晶振,轻薄型晶振,高品质晶振,低抖动晶振,低功耗晶振,低相位噪声晶振,低电源电压晶振,低损耗晶振,低耗能等特点。应用于:移动通讯晶振,无线网络晶振,GPS定位晶振,导航仪晶振,物联网等应用。
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