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包括英特尔、ARM、三星和高通在内的主要IC OEM公司都积极致力于将工艺几何尺寸降低到10nm甚至7nm的FinFET架构的开发。

MIT-Milliren Crystal中文名称米利伦晶振,是商用和军用频率元件的领先制造商，主要生产石英晶体,贴片晶振,石英晶体谐振器，温补晶振，压控晶振，恒温晶振,石英晶体振荡器，高精密石英晶振产品等，每个产品都根据客户的确切设计参数精确定义。每台设备都保证是高质量，精确和稳定的频率控制产品，可以让您将系统提升到更高的性能水平。

MTI-Milliren最新产品270系列超稳定紧凑型铷对手，270系列是一款超高稳定性、高可靠性双烘箱控制晶体振荡器(OCXO晶振)， 这个系列是按照行业标准Euro设计的CO-08占地面积，是替代230系列产品线。这允许系统性能升级以满足新的需求，不需要重新设计的需求。封装的1.423英寸长x 1.071英寸宽x 0.765英寸高(36.1 x 27.2 x 19.4毫米)封装，270系列提供相同的超与MTBF更高的260系列一样高的稳定性。 270系列具有热稳定性在100°C的环境温度范围内为2.0E-10至5.0E-09，与铷原子钟性能相当。

频率范围：4.8MHz至90MHz

特征：STRATUM II、IIIe+性能，超高稳定性，高MTBF

应用程序 ：

STRATUM II，IIIe+电话 

GPS接收器 

TDMA PCS基站 

原子标准替换 

定时和频率标准 

准同步无线电

MTI-Milliren最新产品270系列超稳定紧凑型铷对手,270系列基本型号性能指南：

由Transko制造的振荡器可以分为四类: 1.时钟振荡器 2.压控晶振 3.TCXO温补晶体振荡器 4.OCXO恒温振荡器。

制造晶体振荡器的基本过程: 薄膜金属涂层晶体安装在输入端，并装配期间石英晶体振荡器模块的输出端子。晶体在安装到模块上后进行校准 然后密封零件并进行最终测试

什么是频率稳定度？
制造振荡器时，术语“频率稳定性”
包括所有原因引起的频率变化:
1.校准
2.工作温度范围
3.震惊
4.震动
5.湿度
6.输入电压
7.老化
8.负载变化
什么是逻辑水平？
逻辑电平是信号的有限状态之一，可以有逻辑电平通常由信号和地之间的电压差(或一些其他公共参考点)，尽管其他标准存在。代表每个的电压电平范围状态取决于所使用的逻辑系列。这是一些振荡器的逻辑族。
1.晶体管-晶体管逻辑。
2.互补型金属氧化物半导体
3.互补金属氧化物半导体
4.低电压差分信号
5.电子学元件实验室(Electronics Components Laboratory)
6.(吕)PECL

扇出的是什么？ 

该术语定义了振荡器将驱动的栅极负载数量。振荡器必须有足够的吸收能力当前能力，必须能够交付足够为多个栅极负载供电的电流。

使能/禁用模式与三态模式有什么区别？ 

三态模式类似于使能/禁用。当...的时候 在引脚1上有一个“逻辑1 ”,该单元的工作方式与正常的“启用”相同，产生指定的输出。当 引脚1为“逻辑0 ”,它进入高阻态或三态 模式。三态模式允许客户移除石英晶体振荡器从电路中移除，而不需要物理移除它。 这是有用的调整，测试或故障排除他们的董事会。 但是禁用模式比其正常工作电流低，但没有完全切断，这意味着有电流 漂浮着。因此，如果不使用，控制引脚可以保持开路。

什么是抖动？ 

抖动是周期性的特征的时间变化 信号。抖动有多种来源。周而复始 抖动是相邻周期之间的时间差 信号。峰峰值周期抖动是最差情况。 周期抖动是时钟信号的最大变化。这 均方根周期抖动是峰峰值周期抖动的标准偏差。我们将峰峰值近似为7倍 均方根值。可以测量每个周期的抖动 循环，而不是多次循环。

什么是启动时间？ 

启动时间是从施加电压开始的时间振荡器的输出是稳定的。

什么是相位噪声？ 

相位噪声衡量振荡器的短期频率不稳定性。它被测量为单边带 由频率变化产生的噪声，单位为分贝在振荡器工作频率的两个或两个以上的频率位移处，使用1Hz的带宽吹除振荡器工作频率的振幅。由Transko制造的相位噪声测量设备 (TPNA-2001A)，哪一个适合振荡器。

什么是上升和下降时间？ 

上升时间(Tr)定义了脉冲达到以下值所需的时间 达到规定的最小值，“1”级。下降时间(Tf)是 降至规定的最大“0”水平所需的时间

可穿戴和低功耗:性能优化的石英晶体,物联网市场正以爆炸式的速度增长，物联网相关的行业预测为4700亿美元硬件、软件和其他全面的解决方案。目前安装了154亿台设备 预计到2020年将超过307亿。包括英特尔、ARM、三星和高通在内的主要IC OEM厂商都在积极参与开发，降低到10纳米甚至7纳米FinFET结构的工艺几何尺寸。

这一行业趋势背后的主要驱动力与总消耗量的减少有关动力，同时提升整体性能。这项努力是为了促进实际的实施电池供电的终端解决方案(消费电子、医疗、物联网、工业等。)，需要在功能丰富的环境中功耗极低。然而，这些进步显著地冲击了传统的时钟电路集成时钟方案，主要基于世界著名的皮尔斯振荡器配置。

随着低功耗工作变得至关重要，电流镜偏置反相放大器级Pierce振荡器环路中的“饥饿”放大器。这种方法对反相放大器模块的跨导，进而对正向增益产生深远影响石英晶体振荡器电路的裕量(GM)。

正向增益(GM)和放大器跨导之间的关系定义如下: GM=gm / gmcritical (1) 鉴于: gm =反相放大器的跨导，单位为A/V gm(critical) =使放大器保持在线性区域的临界跨导值 对于使用反相放大器作为增益级的鲁棒振荡，已经建立了一个很好的 行业惯例以GM > 5.0为目标，最低期望值> 3.0。对于闭环振荡器电路，gm(临界)定义如下: gm(临界)= 4 * ESR * (2πF)2*(C0 +氯)2 (2)

ESR=谐振器元件(通常为石英晶体)的有效串联电阻…单位为kω或 ω的。

F=谐振器元件的谐振频率(在石英晶体的情况下，通常是平行的特定电镀负载下的共振频率)…单位为kHz或MHz C0 =复合封装和谐振器元件的电极电容……单位为pF。 CL =谐振器元件的电镀负载……单位为pF。 根据等式(1)，为了获得更高的gm值，最好降低GM(临界)值。来自等式 (2)对于增加GM值的最终目标，关键是减少所有三个参数的影响 (ESR、C0和CL)。

通过仔细设计电极图案以及利用，可以很好地控制C0的值先进的小尺寸陶瓷封装。然而，ESR和CL提出了一个独特的挑战。 这两个参数具有不同的相关性，这意味着随着CL降低，ESR趋于上升，因此净影响趋于持平或恶化。这一挑战随着内在gm值的显著降低而进一步加剧 几何FPGAs、控制器、处理器、ASSP等。例如，基于14纳米节点，低能耗控制器规定32.768kHz嵌入式振荡器环路的gm值低至2.7 A/V。让我们举例说明在固定gm和下，不同电镀负载对闭环增益余量(GM)的影响32.768k晶振环路中的C0值，音叉、32.768kHz晶体的ESR方差。从该分析中可以明显看出，晶体电镀负载对闭环增益余量(GM)有着深远的影响；具有固定的C0和gm值。此外，随着gm值在10nm和更小的范围内减小 几何硅，维持振荡的能力将变得越来越具有挑战性。