深圳康比电子有限公司

格耶品牌SMD晶振如何构建振荡电路?成立至1964年的格耶电子，凭借着自身的努力，一直是频率产品的领先制造商之一，压电石英晶体, 振荡器和陶瓷谐振器.我们从我们的德国总部以及欧洲、亚洲和美国的其他地方。我们非常重视与客户的密切合作从开发阶段开始。这确保了我们从一开始就提供您所需要的东西。

我们将在整个项目中为您提供专业的设计支持。我们的全球服务包括个人咨询和保证电路的验证交付您从我们这里购买的组件。
我们的优势之一是在项目的整个生命周期中包括开发阶段已经提供的经验和技术。

另一个优势是通过我们的支持15年以上的长期项目长期交货保证和生命周期管理.

例如，我们仍然从一开始就提供SMD晶振，如GEYER KX-C系列，从1992年的一个项目开始就提供。

我们希望详细了解您的需求，并与您一起完成开发过程。在GEYER Electronic，我们位于慕尼黑附近Planegg的设计和测试中心拥有一支经验丰富的高性能团队。

利用我们近60年的石英技术知识。

通过无源晶体和分立元件构建自己的振荡电路对于更大的数量或如果IC不使用内部振荡器。可以选择Pierce或Colpitts振荡器。此外，还可以创建振荡器通过反相器电路的适当反馈（图2）。

大多数微控制器已经包含了时钟电路的基本组件。为了完成电路对于Pierce或Colpitts振荡器类型，只需要一个晶体和其他外部无源元件。应用微控制器的手册描述了必要的细节。为了最大限度地减少任何寄生效应，所有连接从微控制器到晶体电路应保持尽可能短。
在40MHz及以上的频率下，使用泛音晶体。这些泛音晶体需要一个特殊的过滤器电路，以便抑制基本模式。滤波电路由电容器和电感组成。如果过滤器省略，电路以其基本模式振荡（例如：预期48MHz的第三泛音晶体，电路以16MHz振荡）。带有泛音晶体的振荡器电路应该非常谨慎地进行尺寸和测试。
如果微控制器配备皮尔斯振荡器配置，晶体将连接到两个电容器，如如图所示。3（C1和C2）。对于4MHz以上的频率，不需要额外的串联电阻器，因为适当的串联电阻器通常将被包括在微控制器的逆变器级内。此外，高欧姆电阻器集成在微控制器内，以调整直流工作电压（图3中为1MΩ）。CS1和CS2包括输入以及微控制器的输出电容以及由PCB上的导电路径贡献的其他电容。通过外部电容器C1使整个电路电容适合于晶体CL的指定负载电容和C2：

示例：提供CL=16pF。假设CS1＝CS2＝12pF，外部电容器可以被评估为C1＝15pF和C2＝27pF。应考虑这些作为后续优化的初始值。C1小于C2，以便提高电路的启动性能。
如果频率与晶体的实际谐振频率匹配，则晶体电路处于最佳状态。实际晶体在其指定负载电容下的谐振频率可以在其测试记录中找到。
应在没有来自探头的任何反馈的情况下测量频率。这通常可以通过测量在微控制器的另一个端口处的频率。如果石英晶振晶体被电容器过载，则频率较小比要求的要大（否则会更大）。
如上所述，具有皮尔斯振荡器配置的微控制器可能需要外部串联电阻器对于低于4MHz的频率。串联电阻器RV将有助于抑制不必要的泛音，并调整内部振荡器到外部pi电路，该电路由C1、C2和晶体组成。串联电阻器RV可评估为如下：RV与电容器C2串联，因此起到低通滤波器的作用（图2）。C2的值应为假如通过选择RV，截止频率fT应在基频和第三泛音之间（方程式2和3）。格耶品牌SMD晶振如何构建振荡电路?

6G无线设备专用的无源晶体EB2532YA12-27.000M TR，Ecliptek日蚀全球技术领先的频率元器件制造商，在技术方面有极高的造诣，凭着自身对于晶体产品的热爱，不断深入研究晶振产品相关知识，通过日积月累，如今已是拥有晶振相关知识体系最庞大的公司，同时又以石英晶体产品为主导，开发系列高品质晶振产品，编码为EB2532YA12-27.000M TR，型号EB2532，尺寸为3.20mm x 2.50mm，频率为27.0000MHZ，CRYSTAL，SMD无源晶体，负载电容12PF，产品具备良好的耐压性能和高可靠性能，比较适合用于高精密应用程序，比如6G无线设备，智能家居，蓝牙音响，数字视频，物联网，小型设备等领域。

来自石英晶体专家日蚀公司的产品范围包括SMD压电石英晶体具有非常低的电阻，用于极其快速和可靠的振荡启动。这些是EB2532(采用3.2x2.5mm/4焊盘陶瓷外壳)和EB1620(采用2.0x1.6mm/4焊盘陶瓷外壳)系列等。在我们广泛的在线测试过程中，我们总是发现被测振荡器级的负输入电阻非常低，因此IC之间存在非常大的色散。但是应用程序必须变得越来越小，这意味着开发工程师必须依赖小型石英晶体外壳。

在毫米级应用中，石英晶体振荡器是许多模拟电路中的常用模块。以下文章就如何对作为其主要组件的压电谐振器进行建模提供了一些建议。
静态电容C0，代表被两个电极隔开的绝缘体的作用，运动支路L1-C1-R1等效于压电振动的隔离模式，分别模拟惯性、恢复力和摩擦力。金属罐中的设备可能需要通过包括支架电容的三端子等效模型进行建模，如有必要，可以将其他不需要的振荡模式（例如杂散）模拟为与 L1-C1 并联的附加运动分支-R1。
准确计算等效电路中的元件值对于提供可靠的仿真至关重要。加载标准模型（通常是10MHz晶体）会为并联或串联谐振模式产生错误的频率：此外，在拉动电路中，运动电容的不正确值将对变化的负载电容产生错误的灵敏度。
以负载电容为12pF、牵引灵敏度为 20ppm/pF 的 27MHz 基波晶体为例。运动共振方程为Fs = 1/ [2??(L1 * C1)]
对于并联谐振Fp = Fs[1 + C1/(2*C0)] = 27.000MHz
对于牵引灵敏度S = 1000000 * C1/ 2(C0 + Cl)² = 20ppm/pF
其中，负载电容 CL 为 12pF。如果我们将C0指定为3pF的并联电容，则运动电容C1为9pF，Fs变为26.95956MHz，运动电感L1为3.87mH。运动阻力值的合理范围是20 对于30MHz晶振和60 为10MHz。对于其他频率：

陶瓷谐振器的仿真更加困难，因为这三个端子部分包含内部负载电容器，并且电抗与阻抗的比率低于晶体的值。谐振频率也低于晶体的谐振频率，因此电抗元件的尺寸进一步减小。品质因数的降低意味着更快的启动，但缺点是负载电容值对振荡器频率的影响比晶体的影响更大。

两个终端谐振器的典型值为：

对任何振荡器的启动进行建模也是一项困难的练习。巴克豪森标准是：振荡器中的环路增益必须等于或大于1，相移必须是2的倍数，电路才能启动。在实践中，增加一个与石英晶体谐振器并联的大电阻器可以改善启动，因此谐振器上的电阻值为1兆欧，运行在1MHz以上的晶体上的电阻值为10兆欧，手表晶体上的电阻值为22兆欧可能会在模拟中得到一些积极的结果。

ACT推出了他们的新OCXO晶振系列。编码OX75-2000M-0070-PF系列，特征：

产品描述：15pF，HCMOS-OCXO
标称频率：20.000MHz
包装尺寸：7.5x5.5x3.3mm毫米
ACT内部代码：D1
频率范围：20.0MHz
电源电压：3.3V±5%
输出波形HCMOS
输出负载：15pF

可操作的工作温度：-40℃至+95℃ 

储存温度：‐55℃～+105℃
输出电压低：0.33V，最大Vcc = 3.3V，负载= 15pF
输出电压高：2.40V最小Vcc = 3.3V，负载= 15pF
占空比：45%/55% @50%
上升/下降时间：25°C时最大5.0ns，10%~90%，

有效波形前的启动时间：最大15.0毫秒，射频输出波形在以下范围内的时间输出电平、占空比和上升/下降时间，投机。

ACT晶振可以在全球范围内支持您的频率控制要求.通过使用Esterline的专有技术,我们为市场上最高性能的TCXO和OCXO提供全面的设计支持。无论您需要新技术，如M-SAC增强型振荡器，还是简单的基本石英晶振，我们的工程团队都将帮助您为您的应用选择合适的解决方案，并在整个设计周期和生产过程中为您提供支持。