SiT1602晶振,石英晶体振荡器,Sitime晶振

SiTime石英晶体振荡器可编程架构使最灵活的产品具有更多的特性和超快的领导时间.在过去的几十年里,石英晶体振荡器、时钟发生器和石英晶体谐振器是电子器件中主要的参考计时元件.由于没有其他选择,OEMs和ODMs接受了石英定时装置固有的局限性.现在,有了强大的MEMS谐振器和高性能模拟电路,SiTime晶振公司已经开发出突破石英器件限制的突破性解决方案,研发出高性能贴片晶振,石英晶体振荡器,可编程石英晶体振荡器等.

SITIME晶振,贴片晶振,SiT1602晶振,贴片晶振本身体积小,超薄型石英晶体谐振器,特别适用于有目前高速发展的高端电子数码产品,因为晶振本身小型化需求的市场领域,小型?薄型是对应陶瓷谐振器（偏差大）和普通的石英晶体谐振器（偏差小）的中间领域的一种性价比较出色的产品.

晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一.

项目	符号	SiT1602晶振规格说明	条件
输出频率范围	f₀	3.75~77.76MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.8V ,2.5V,3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -20℃ to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.32768k.net
		H: -40℃ to +85℃

频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CCMax.	ST终端
输入电压	V_IL	20 % V_CCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CCto 80 % V_CC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

当晶振产品上存在任何给定冲击或受到周期性机械振动时,比如：压电扬声器,压电蜂鸣器,以及喇叭等,输出频率和幅度会受到影响。这种现象对通信器材通信质量有影响。尽管晶振产品设计可最小化这种机械振动的影响,我们推荐事先检查并按照下列安装指南进行操作。

将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息.
Sitime晶振环保方针:

SiTime晶振集团将建立可行的技术及经济性环境目标,并确保其环境保护活动的质量.集团公司将关注所有环境适用的法律、法规和协议的遵守情况.另外为更有效的进行环境保护,将建立自己的特有的环境标准.集团将在各领域内的商务运作中实施持续改进,包括能源资源的保持,回收再利用以及减少晶振,石英晶振, 石英水晶振荡子材料废弃物等.

SiTime晶振尽可能的采用无害的石英水晶振荡子, 压电石英晶体元器件、压电石英晶体、有源晶体原材料和生产技术,避免有害物质的产生,比如消耗臭氧层物质、温室气体及其它污染物.集团公司同时将致力于这些物质的收集和回收,最小化有害原料的使用.SITIME晶振,贴片晶振,SiT1602晶振.