DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振,贴片两脚陶瓷面晶振

日本大真空株式会社KDS晶振,于1993年被天津政府对外资招商部特别邀请在中国天津投资.日本大真空在当年5月份,就在天津市位于武清开发区确定投资建厂,品牌是简称(KDS晶振)当时总额1.4亿美元,注册资本4867.3万美元,占地面积67.5亩.

日本大真空株式会社KDS晶振品牌实力见证未来,KDS晶振集团总公司位于日本兵库县加古川,在泰国,印度尼西亚,台湾,中国天津这些大城市均有压控晶体振荡器,贴片晶振,陶瓷雾化片,32.768K钟表晶振,温补晶振的生产工厂,而天津KDS晶振工厂是全球石英晶振生产最大量的工厂,自从1993年在天津投产以来,技术更新从未间断.

KDS晶振,贴片晶振,DSX221G晶振,1ZCA12000BA0A晶振,小体积贴片2520mm晶振,外观小型,表面贴片型晶体谐振器,因本身体积小等优势,适用于移动通信终端的基准时钟等移动通信领域.小型,薄型,轻型(2.5×2.0×0.5mmtyp.)具备优良的耐环境特性及高耐热性强.满足无铅焊接的回流温度曲线要求.

石英晶振真空退火技术：晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷.在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线,使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火,石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性,以及提高石英晶振的年老化特性.

KDS晶振规格	单位	DSX221G工业级晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.00MHZ~64.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C～+105°C	裸存
工作温度	T_use	-40°C ～ +105°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10^-6(标准), (±15 × 10^-6～ ±50 × 10^-6可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,
频率温度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.http://www.32768k.net
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10^-6/ year Max.	+25°C,第一年

KDS晶振规格	单位	DSX221G晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	12.00MHZ~64.0MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C～+85°C	裸存
工作温度	T_use	-30°C～+85°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW～100μW
频率公差	f_— l	±50 × 10-6(标准), (±15 × 10-6～±50 × 10-6可用)	+25°C对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,
频率温度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C～+70°C	超出标准的规格请联系我们.http://www.32768k.net
负载电容	CL	8pF ,10PF,12PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年