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X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ

频率:38.4MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ,尺寸为2520mm,频率为38.4MHZ,电压1.6V~2.2.V,支持输出CMOS,有源晶振,SPXO晶体振荡器,爱普生晶振,石英晶体振荡器,有源贴片晶振,日本进口晶振,低电压晶振,低耗能晶振,高质量晶振,OSC振荡器,可穿戴设备晶振,无线模块晶振,北斗模块晶振,蓝牙音响晶振,汽车专用晶振,X1G0036410013晶振,X1G0036410019晶振。
有源晶体振荡器产品主要被广泛应用于可穿戴设备,无线模块,蓝牙音响,投影仪,汽车等领域。X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ.
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SG-211SEE 2

X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ,尺寸为2520mm,频率为38.4MHZ,电压1.6V~2.2.V,支持输出CMOS,有源晶振,SPXO晶体振荡器,爱普生晶振,石英晶体振荡器,有源贴片晶振,日本进口晶振,低电压晶振,低耗能晶振,高质量晶振,OSC振荡器,可穿戴设备晶振,无线模块晶振,北斗模块晶振,蓝牙音响晶振,汽车专用晶振,X1G0036410013晶振,X1G0036410019晶振。

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X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ  参数表

项目
规格说明 条件
SG-211SEE SG-211SDE SG-211SCE
输出频率范围 0 2.375 MHz ~ 60.000 MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压 VCC 1.8 V Typ.
1.6 V ~ 2.2 V
2.5 V Typ.
2.2 V ~ 2.7 V
3.3 V Typ.
2.7 V ~ 3.63 V
储存温度 T_stg -40 oC ~ +125 °C 裸存
工作温度 T_use -40 oC ~ +90 °C
频率稳定度 f_tol D :  20   10-6 , E :  15   10-6 -20 oC ~ +70 oC VCC    10 %
回流漂移包含
H :  20 × 10-6  , T :  15 × 10-6 -40 oC ~ +85 oC
a: ±15 × 10-6 , b: ±20 × 10-6 ,d: ±25 × 10-6 -40 oC ~ +90 oC
功耗 ICC 2.3 mA Max. 2.5 mA Max. 3.5 mA Max. 无负载条件, 2.375 MHz ≤ f0    32 MHz
2.8 mA Max. 3.0 mA Max. 4.0 mA Max. 无负载条件, 32 MHz < f0    40 MHz
3.3 mA Max. 3.5 mA Max. 4.5 mA Max. 无负载条件, 40 MHz < f0    48 MHz
4.5 mA Max. 5.0 mA Max. 6.0 mA Max. 无负载条件, 48 MHz < f0    60 MHz
待机电流 I_std 5.0 µA Max.    
ST =GND
占空比 SYM 45 % ~ 55 % 50 % VCC  级别, L_CMOS    15 pF
输出电压 VOH 90 % VCC Min. IOH=-4 mA
VOL 10 % VCC Max. IOL= 4 mA
输出负载条件(CMOS) L_CMOS 15 pF Max.
输入电压 VIH 80 % VCC Min. ST 终端
VIL 20 % VCC Max.
上升/下降时间 tr/ tf 4.5 ns Max. 20 % VCC ~ 80 % VCC 极
L_CMOS=15 pF
振荡启动时间 t_str 5 ms Max. 在 90 % VCC  时,所需时间为 0  秒
频率老化 f_aging 频率稳定度包含 +25 °C,  第一年, VCC=1.8 V ,2.5 V, 3.3 V
X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ  尺寸图

SG-211SEE SDE SCE 2520 COMS

X1G0036410016晶振  特点:

频率范围 :2.375MHz ~ 60MHz

电源电压 : 1.8 VTyp. / 2.5 V Typ. / 3.3 V Typ. 

电流消耗 : 1.2 mA Typ. (SEE 1.8 V 无负载条件40 MHz) 

功能 :待机 ( ST ) 

外部尺寸规格 :2.5×2.0×0.7mm

更多相关日本爱普生有源晶体型号

编码 品牌 型号 频率 尺寸 输出方式 电源电压 工作温度
X1G0036410002 爱普生晶振 SG-211SEE 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410003 爱普生晶振 SG-211SEE 40.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410004 爱普生晶振 SG-211SEE 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410005 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410006 爱普生晶振 SG-211SEE 37.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410008 爱普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410009 爱普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410010 爱普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410011 爱普生晶振 SG-211SEE 49.152000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410013 爱普生晶振 SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410014 爱普生晶振 SG-211SEE 11.289600 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410015 爱普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410016 爱普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410017 爱普生晶振 SG-211SEE 12.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410018 爱普生晶振 SG-211SEE 13.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410019 爱普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410020 爱普生晶振 SG-211SEE 33.333300 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410022 爱普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410023 爱普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410024 爱普生晶振 SG-211SEE 38.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410025 爱普生晶振 SG-211SEE 26.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410026 爱普生晶振 SG-211SEE 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410027 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410028 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410030 爱普生晶振 SG-211SEE 37.400000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410031 爱普生晶振 SG-211SEE 12.288000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410032 爱普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410033 爱普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410034 爱普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410035 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410036 爱普生晶振 SG-211SEE 4.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410037 爱普生晶振 SG-211SEE 15.625000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410038 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410039 爱普生晶振 SG-211SEE 24.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410041 爱普生晶振 SG-211SEE 50.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410042 爱普生晶振 SG-211SEE 25.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 90 °C
X1G0036410043 爱普生晶振 SG-211SEE 19.200000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C
X1G0036410044 爱普生晶振 SG-211SEE 37.125000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -40 to 85 °C
X1G0036410045 爱普生晶振 SG-211SEE 27.000000 MHz 2.50 x 2.00 x 0.80 mm CMOS 1.600 to 2.200 V -20 to 70 °C

SG-211SDE 1

采购:X1G0036410016数据手册\CMOS\2520mm\SG-211SEE\38.4MHZ

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