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Crystek瑞斯克了解TCXO晶振CVT25-19.200

温度补偿晶体振荡器(TCXOs) 在今天被广泛使用无线通信系统。 它们已经成为一个重要的组成部分到手机和不断发展的无线PDA产业。高端TCXO温补晶振也是一个重要的组成部分电信等行业。

之间的主要区别是TCXO和一个简单的晶体振荡器TCXO晶振含有额外的 校正(补偿)电路 晶体的频率与温度特性。图1描绘了一个 简单说明水晶是如何 已更正。附加补偿电路分为三种主要类别：数字、模拟 或者模拟/数字组合。 了解差异 数字和模拟补偿之间的差异很重要，因为在某些情况下案例，不可互换。

美国瑞斯克为您解锁温补晶体振荡器相关知识CVT25-13.000,6G晶振物料,随着行业的快速发展，如今已然是有源振荡器产品的市场，CRYSTEK公司利用自身的优势开发高品质的温补晶振产品，并得到无数用户的一致好评，主流温补晶体振荡器编码CVT25-13.000，尺寸为3225mm，频率为13MHZ，型号CVT25是一个剪切正弦波TCXO工作在3.0伏特。振荡器利用数字温度补偿提供稳定的频率输出。输出信号中没有子谐波。产品主要应用范围：GSM，GPRS，3G，CDMA，W-CDMA等领域。

TCXO是一种温度补偿晶体振荡器，只要在变化的温度环境中需要特别高的稳定性，即当振荡器的频率偏差在其整个工作温度范围内必须最小时，就可以使用。

Abracon offers in-system tuning services for patch and chip antennas.  This takes the guess work out of RF verification while offering corrective measures.  It can maximize system efficiency with benefits such as, extended RF range, improved sensitivity and reduced power consumption of a transmit range.

Abracon晶振为贴片天线和芯片天线提供系统内调谐服务。这在提供纠正措施的同时，减少了射频验证的猜测工作。它可以最大限度地提高系统效率，具有扩展射频范围、提高灵敏度和降低发射范围功耗等优点。超越未来解决方案的性能、尺寸、功率和可靠性要求的晶体、振荡器和谐振器产品。

JT255系列TCXO可实现非常低的工作电源电流,JT2553P0016.369000,温补晶体振荡器,ECERA晶振

JT255 TCXO系列是一款高性能温补晶体振荡器，具有削波正弦波输出，可实现非常低的工作电源电流。它支持各种电源电压、稳定性和其他功能。它旨在满足现有的应用需求。

特征：
低电流
严格的温度稳定性
削波正弦波输出电平
出色的相位噪声
工业温度范围
无铅且符合 RoHS/Green 标准
交货时间快
应用：
网络系统
联网
GPS/导航
计量
移动和无线
手机

Diodes Incorporated (Diodes)（纳斯达克股票代码：DIOD）推出了一系列新的低压差(LDO)稳压器，增加了其电源管理产品组合。亚陶SMD晶振，AP7387器件用于无线吸尘器、烟雾探测器、电动工具和各种其他家用电器等应用。

AP7387系列是一款宽输入电压范围(60V),低静态电流,高PSRR线性稳压器,AP7387-33FDCR-7，这些器件的输入电压范围为5V至60V，这使它们能够灵活地连接到5V、9V、12V、24V和48V电源轨。这些LDO的静态电流仅为2µA，远低于竞争器件，因此这些LDO对电池资源的消耗最小。因此，可以延长它们所集成的设备的运行时间。尽管仅消耗2µA电流，AP7387系列在1kHz时具有70dB的高电源抑制比(PSRR)，加上快速的线路/负载瞬态响应，有助于缓解突然的输入电压和负载电流变化。这两个属性都使它们非常适合对噪声敏感的实现。
AP7387有源晶振器件的额定输出电流为150mA，提供3.0V、3.3V、3.6V和5V固定输出电压版本，输出容差为±2%。电流限制、短路和热关断保护机制都被纳入，以提高设备和系统的稳健性。此外，它们还满足4kV人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 要求。AP7387系列采用SOT23、SOT25、SOT89和U-DFN2020-6封装.

可穿戴和低功耗:性能优化的石英晶体,物联网市场正以爆炸式的速度增长，物联网相关的行业预测为4700亿美元硬件、软件和其他全面的解决方案。目前安装了154亿台设备 预计到2020年将超过307亿。包括英特尔、ARM、三星和高通在内的主要IC OEM厂商都在积极参与开发，降低到10纳米甚至7纳米FinFET结构的工艺几何尺寸。

这一行业趋势背后的主要驱动力与总消耗量的减少有关动力，同时提升整体性能。这项努力是为了促进实际的实施电池供电的终端解决方案(消费电子、医疗、物联网、工业等。)，需要在功能丰富的环境中功耗极低。然而，这些进步显著地冲击了传统的时钟电路集成时钟方案，主要基于世界著名的皮尔斯振荡器配置。

随着低功耗工作变得至关重要，电流镜偏置反相放大器级Pierce振荡器环路中的“饥饿”放大器。这种方法对反相放大器模块的跨导，进而对正向增益产生深远影响石英晶体振荡器电路的裕量(GM)。

正向增益(GM)和放大器跨导之间的关系定义如下: GM=gm / gmcritical (1) 鉴于: gm =反相放大器的跨导，单位为A/V gm(critical) =使放大器保持在线性区域的临界跨导值 对于使用反相放大器作为增益级的鲁棒振荡，已经建立了一个很好的 行业惯例以GM > 5.0为目标，最低期望值> 3.0。对于闭环振荡器电路，gm(临界)定义如下: gm(临界)= 4 * ESR * (2πF)2*(C0 +氯)2 (2)

ESR=谐振器元件(通常为石英晶体)的有效串联电阻…单位为kω或 ω的。

F=谐振器元件的谐振频率(在石英晶体的情况下，通常是平行的特定电镀负载下的共振频率)…单位为kHz或MHz C0 =复合封装和谐振器元件的电极电容……单位为pF。 CL =谐振器元件的电镀负载……单位为pF。 根据等式(1)，为了获得更高的gm值，最好降低GM(临界)值。来自等式 (2)对于增加GM值的最终目标，关键是减少所有三个参数的影响 (ESR、C0和CL)。

通过仔细设计电极图案以及利用，可以很好地控制C0的值先进的小尺寸陶瓷封装。然而，ESR和CL提出了一个独特的挑战。 这两个参数具有不同的相关性，这意味着随着CL降低，ESR趋于上升，因此净影响趋于持平或恶化。这一挑战随着内在gm值的显著降低而进一步加剧 几何FPGAs、控制器、处理器、ASSP等。例如，基于14纳米节点，低能耗控制器规定32.768kHz嵌入式振荡器环路的gm值低至2.7 A/V。让我们举例说明在固定gm和下，不同电镀负载对闭环增益余量(GM)的影响32.768k晶振环路中的C0值，音叉、32.768kHz晶体的ESR方差。从该分析中可以明显看出，晶体电镀负载对闭环增益余量(GM)有着深远的影响；具有固定的C0和gm值。此外，随着gm值在10nm和更小的范围内减小 几何硅，维持振荡的能力将变得越来越具有挑战性。

还必须指出的是，变频放大器的gm通常具有5%至的扩展器件间和晶圆间的差异超过15%。因此，石英晶体谐振器设计必须适应现实世界的容差效应。 Abracon在开发其ABS06W和ABS07W系列时考虑了上述变量 音叉晶体的尺寸分别为2.0x1.2x0.6毫米和3.2x1.5x0.9毫米。

为了实现最佳在线性能，Abracon优化了电极模式，以降低C0的整体效应，从而保证最大(电极+封装)电容为2.0pF in 2.0x1.2x0.6mm毫米封装和业界领先的1.30pF最大值，采用3.2x1.5x0.9毫米封装。 凭借革命性的毛坯设计和加工技术，Abracon能够大幅减少这些解决方案的ESR超过了工作温度范围为-40℃至+125 ℃;同时将电镀负载降低到业界领先的3.0 pF。

Abracon采用了独特的生产调整技术来提高设定公差和ESR室温下的分布。

从6A到6D的曲线描述了Abracon将这些解决方案的ESR值降至最低的能力；正在… 将电镀负载降至业界领先的3.0 pF。 应该注意的是，大多数消费市场/物联网终端解决方案都有一个可操作的温度范围为-20°C至+70°C。在此较窄的工作范围内，ABS06W和ABS07W设备提供极低的ESR值；进一步提高了当前的电路增益裕量 节能硅。Abracon已采取措施确保ESR在整个整个工作温度范围为-40°C至+125°C，是唯一保证ESR性能值的OEM厂商在更宽的工作温度范围内。 Abracon也认识到采用这些设计、工艺和生产技术的必要性成功实施这些技术，以提供各种物联网优化的MHz石英晶体范围。

Abracon能够以行业领先的4.0 pF电镀电容电镀这些溶液，同时保持尽可能小的ESR值可确保这些解决方案不仅能与当今的解决方案完美匹配，22纳米或14纳米FinFET技术，但更重要的是，经过优化以确保最佳性能 在不久的将来，下一代解决方案将包括5纳米节点。

Q-SC20S0320570CADF日产SEIKO晶振Q-SC32S0320570CADF小体积贴片晶振Q-SC16S0320570CADF日本精工晶振VT200F-6PF20PPM小体积贴片晶振Q-SC32S0321070CAAF日本精工晶振Q-SC20S03220C5AAAF精工石英晶振VT200F-12.5PF20PPM日本精工晶振Q-SC32S0322070AAAF精工石英晶振

Q22FA1280000200日本进口晶振Q22FA1280031400爱普生晶振Q22FA1280014400无源晶振Q22FA1280000700石英贴片晶振Q22FA1280031500进口EPSON晶振Q22FA1280049500SMD晶振Q22FA1280000800无源晶振Q22FA1280032100超小型晶振Q22FA1280014600爱普生晶振Q22FA1280001000SMD晶振Q22FA1280032400石英2016晶振Q22FA1280014700进口EPSON晶振Q22FA1280001100爱普生晶振Q22FA1280032600日本进口晶振Q22FA1280014800超小型晶振Q22FA1280001400进口EPSON晶振Q22FA1280032700石英贴片晶振Q22FA1280014900石英2016晶振Q22FA1280001500超小型晶振Q22FA1280033200轻薄型贴片晶振Q22FA1280015000日本进口晶振Q22FA1280001600石英2016晶振Q22FA1280033400SMD晶振Q22FA1280015200石英贴片晶振

日本电波株式会社在行业中具有一定的名气,自在东京都中央区日本桥设立南部商工株式会社,并在1949年开始了石英晶振,贴片晶振,温度补偿晶振,压控晶振等频率元件的制造,并在不同的领域中提供了高性能的石英晶振.在包含车载在内的5G系统为基础的事业方面,对品质的要求将比现在更高.不断通过研发创新新的产品会出世.今天要介绍的是NDK新推出的2016温补晶振.日本NDK晶振集团开发了一种尺寸为2.0×1.6×0.7毫米的TCXO(温度补偿晶体振荡器),在100千赫偏移(*2)时实现了业界最高水平的低相位噪声-170分贝/赫兹.样品装运将于2019年7月开始.

ABM3-33.000MHZ-B4Y-T美国5032贴片晶振ABM3B-16.000MHZ-B-4-Y-T美国进口晶振ABM3B-19.680MHZ-10-1-U-T欧美晶振 ABM3-40.000MHZ-B4Y-T贴片石英晶振ABM3B-16.384MHZ-B-4-Y-T进口Abracon晶振ABM3C-20.000MHZ-D4Y-T美国5032贴片晶振 ABM3C-48.000MHZ-D4Y-T石英晶体谐振器ABM3B-18.432MHZ-B-4-Y-T小型5032进口晶振ABM3B-24.576MHZ-20-E-T贴片石英晶振 ABM3C-16.000MHZ-D4Y-T美国进口晶振ABM3B-19.200MHZ-B-4-Y-T无源晶振ABM3-11.0592MHZ-D2Y-T石英晶体谐振器 ABM3C-26.000MHZ-D4Y-T进口Abracon晶振ABM3B-20.000MHZ-B-4-Y-T压电石英晶振ABM3C-12.288MHZ-D4Y-T美国进口晶振 ABM3C-13.560MHZ-D4Y-T小型5032晶振ABM3B-24.000MHZ-B-4-Y-T欧美晶振ABM3B-26.000MHZ-10-B-1-U-T压电石英晶振 ABM3C-18.432MHZ-D4Y-T无源晶振ABM3B-25.000MHZ-B-4-Y-T美国5032贴片晶振ABM3B-27.000MHZ-10-B-1-U-T欧美晶振 ABM3C-15.000MHZ-D4Y-T压电石英晶振ABM3B-26.000MHZ-B-4-Y-T轻薄型贴片谐振器ABM3B-27.120MHZ-10-B-1-U-T美国5032贴片晶振 ABM3C-16.384MHZ-D4Y-T欧美晶振ABM3B-27.000MHZ-B-4-Y-T石英晶体谐振器ABM3B-28.63636MHZ-10-B-1-U-T贴片石英晶振 ABM3C-30.000MHZ-D4Y-T美国5032贴片晶振ABM3B-27.120MHZ-B-4-Y-T美国进口晶振ABM3B-30.000MHZ-10-B-1-U-T石英晶体谐振器 ABM3-27.000MHZ-B2-T贴片石英晶振ABM3B-28.63636MHZ-B-4-Y-T进口Abracon晶振ABM3B-32.000MHZ-10-B-1-U-T美国进口晶振 ABM3B-30.000MHZ-B2-T石英晶体谐振器ABM3B-30.000MHZ-B-4-Y-T小型5032晶振ABM3B-36.000MHZ-10-B-1-U-T进口Abracon晶振 ABM3-48.000MHZ-B2-T美国进口晶振ABM3B-36.000MHZ-B-4-Y-T无源晶振ABM3B-40.000MHZ-10-B-1-U-T小型5032晶振 ABM3B-14.31818MHZ-B2-T进口Abracon晶振ABM3B-40.000MHZ-B-4-Y-T压电石英晶振ABM3B-13.500MHZ-10-1-U-T无源晶振 ABM3B-13.000MHZ-B2-T小型5032晶振ABM3B-48.000MHZ-B-4-Y-T欧美晶振ABM3B-14.400MHZ-10-1-U-T压电石英晶振 ABM3-28.6363MHZ-B2-T无源晶振ABM3B-8.000MHZ-B-4-Y-T美国5032贴片晶振ABM3B-16.800MHZ-10-1-U-T欧美晶振 ABM3B-16.384MHZ-B2-T压电石英晶振ABM3B-27.120MHZ-10-B2H-T贴片石英晶振ABM3B-22.000MHZ-10-1-U-T美国5032贴片晶振 ABM3B-24.000MHZ-B2-T欧美晶振ABM3B-12.000MHZ-10-B-1-U-T石英晶体谐振器ABM3B-13.824MHZ-10-1-U-T贴片石英晶振

ABM3B-24.576MHZ-B2-T美国5032贴片晶振ABM3B-12.288MHZ-10-B-1-U-T美国进口晶振ABM3B-14.31818MHZ-10-1-U-T石英晶体谐振器 ABM3B-27.000MHZ-B2-T贴片石英晶振ABM3B-13.000MHZ-10-B-1-U-T进口Abracon晶振ABM3B-27.000MHZ-10-1-U-T美国进口晶振 ABM3B-18.432MHZ-10-1-U-T石英晶体谐振器ABM3B-13.560MHZ-10-B-1-U-T小型5032晶振ABM3X-101-24.000MHZ-T进口Abracon晶振 ABM3B-12.000MHZ-10-1-U-T美国进口晶振ABM3B-14.31818MHZ-10-B-1-U-T无源晶振ABM3X-102-32.000MHZ-T小型5032晶振 ABM3B-25.000MHZ-10-1-U-T进口Abracon晶振ABM3B-16.000MHZ-10-B-1-U-T压电石英晶振ABM3C-8.000MHZ-D4Y-T无源晶振 ABM3-30.000MHZ-D2Y-T小型5032晶振ABM3B-16.384MHZ-10-B-1-U-T欧美晶振ABM3C-8.192MHZ-D4Y-T压电石英晶振 ABM3B-26.000MHZ-10-1-U-T无源晶振ABM3B-16.934MHZ-10-B-1-U-T美国5032贴片晶振ABM3C-9.8304MHZ-D4Y-T欧美晶振 ABM3-12.288MHZ-D2Y-T压电石英晶振ABM3B-18.432MHZ-10-B-1-U-T贴片石英晶振ABM3C-16.000MHZ-KV-T美国5032贴片晶振 ABM3B-13.560MHZ-10-1-U-T欧美晶振ABM3B-19.200MHZ-10-B-1-U-T石英晶体谐振器ABM3-19.6608MHZ-B4Y-T贴片石英晶振 ABM3B-14.7456MHZ-10-1-U-T美国5032贴片晶振ABM3B-20.000MHZ-10-B-1-U-T美国进口晶振ABM3-30.000MHZ-B4Y-T石英晶体谐振器 ABM3B-30.000MHZ-10-1-U-T贴片石英晶振ABM3B-24.000MHZ-10-B-1-U-T进口Abracon晶振ABM3-12.000MHZ-B4Y-T美国进口晶振 ABM3-33.000MHZ-D2Y-T石英晶体谐振器ABM3B-24.576MHZ-10-B-1-U-T小型5032晶振ABM3-9.8304MHZ-B4Y-T进口Abracon晶振 ABM3B-11.0592MHZ-10-1-U-T美国进口晶振ABM3B-25.000MHZ-10-B-1-U-T进口石英无源晶振ABM3-10.000MHZ-B4Y-T小型5032晶振 ABM3-14.31818MHZ-D2Y-T进口Abracon晶振ABM3B-8.000MHZ-10-D-1-G-T压电石英晶振ABM3-11.0592MHZ-B4Y-T无源晶振 ABM3-14.7456MHZ-D2Y-T小型5032晶振ABM3B-25.000MHZ-D2Y-T欧美晶振ABM3-15.000MHZ-B4Y-T压电石英晶振 ABM3-24.576MHZ-D2Y-T无源晶振ABM3-12.288MHZ-B4Y-T美国5032贴片晶振ABM3-16.000MHZ-B4Y-T欧美晶振