荷兰FCD-Tech晶振具有SMD封装和IDP封装,具有2016mm~8045mm体积,基于连接到晶体谐振器的电子元件的负载的初始频率,具有多种频率容差供应客户选择.在一定温度范围内的频率容差,以及耐高温度,ESR等效串联电阻等重要参数为用户提供多种选择.
遥遥领先希华石英晶体谐振器隐知识解析，晶振电路无信号输出？
步骤1-1。请检查SMD晶振输入端(Xin)和输出端(Xout)的电压，并检查电压是否符合IC规范。
步骤1-2。请卸载晶体，并使用专业测试机器测试其频率和负载电容，看看它们是否振动并符合您的规格。您也可以将其发送给供应商，让他们为您进行测试。
步骤1-3。如果晶体不振动，其负载电容与您的规格不匹配，或者当前频率与您的目标频率之间存在巨大差距，请将晶体发送给您的供应商进行质量分析。
步骤1-4。如果频率和负载电容符合你的规格，但问题也存在。需要执行振荡电路评估。您也可以将其发送给供应商，让他们为您进行测试。
步骤1-5。下图所示为一般振荡电路，其中Cd和Cg为外部负载电容，Rf为反馈电阻，Rd为限流电阻。
负电阻(-R)是评价振荡电路好坏的标准，其值至少应为晶振电阻的5倍，以维持稳定的振荡。因此，按照以下说明测量负电阻非常重要:
(1)将电阻(Rx)与晶体串联
(2)从振荡的起点到终点调整Rx的值。
(3)测量振荡期间Rx的值。
(4)你将能够获得负电阻的值，|-R| = Rx + Re，Re =有效晶体电阻。
步骤1-6。如果IC的负电阻太低，无法驱动电路，我们提出三种解决方案来改善这种情况。
(1)降低限制电阻器(Rd)的值。但是，您还应该确认频移和晶体驱动电流是否同时符合规格。
(2)降低外部电容(Cg和Cd)的值，采用负载电容(CL)较低的其他晶体。
(3)采用电阻(Rr)较低的晶体。遥遥领先希华石英晶体谐振器隐知识解析.
领先同行瑞萨石英晶体振荡器的电路，振荡器是任何微控制器系统的核心，因此在设计中应给予适当的关注，以确保设计尽可能可靠。
我们都可以设计一个正常工作的振荡器，但要在所有元件的容差范围内设计一个能在生产中正常工作的振荡器，却需要一点努力。典型的瑞萨微控制器用户手册将提供一个或多个典型的振荡器电路(通常由示例中使用的晶体或陶瓷谐振器的供应商推荐给瑞萨)，以及等效振荡器电路的简单规格。
可靠振荡所需的确切电路可能因OSC振荡器而异，也可能受到电路板布局和环境条件的影响。在任何情况下，我们都强烈建议设计人员联系所选的振荡器供应商，向他们询问适合其设计的推荐电路，并自行测试振荡器，以确定所需的振荡器电路参数。
对于许多应用，陶瓷谐振器可以提供良好的低成本解决方案；然而，如果需要更高的稳定性和更精确的定时，晶体提供了最佳的解决方案。然而，在低功率应用中，Q值较高的晶体启动时间要慢得多。事实上，频率越低，启动时间越长；一个32千赫的晶体可能需要1 - 3秒启动。
在许多微控制器中，需要仔细考虑晶体漂移和稳定性的影响，尤其是对于需要时钟功能的应用；然而，振荡器性能的知识可以允许在软件中进行校正。
瑞萨微控制器上最常用的振荡器设计是皮尔斯振荡器，如下所示。
内部反相器的输出通过外部有源晶振电路反馈到其输入端，形成一个不稳定的反馈环路。当振荡器的输出延迟足以提供360°相位延迟时，稳定的振荡得以持续。晶体与负载电容C1和C2一起提供了一个调谐电路，可以稳定振荡频率
Rf反馈电阻器-这在第一个逆变器周围提供负反馈，并确保逆变器工作在其线性区域。这在晶体振荡器中很少需要，但在使用陶瓷谐振器时经常需要，以确保振荡器正确启动。建议典型值在1MOhm范围内。一些瑞萨微控制器有内部反馈电阻。
Rd -阻尼电阻–这是一个串联电阻，旨在防止振荡器过激励。通常，如果C1和C2选择正确，这不是必需的。该电阻有几个作用:稳定反馈电路的相位，降低较高频率下的环路增益；通过在逆变器输出端放置Rd，输出电阻增加，电流降低。Rd还与C2一起构成一个低通滤波器，可以大大减少不必要的振荡模式。Rd的典型值在250 - 500欧姆范围内
C1和C2 -负载电容-负载电容与晶体或谐振器一起提供180°的相位滞后，共同提供启动和维持振荡的能量。
晶体或陶瓷谐振器的工作会受到一系列环境效应的影响，例如温度和湿度，以及电路参数，例如工作电压。
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