SiT5346是一款坚固耐用的Endura™ 精密Super-TCXO温补晶体振荡器，可在1至60MHz频率范围内工作，并提供±100-ppb频率稳定性、0.004ppb/g加速度灵敏度（典型值），在高达105摄氏度。它专为恶劣环境而设计，可在存在环境压力因素（气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰 (EMI)）的情况下提供最稳定的时序。SiT5346符合MIL-PRF-55310和MIL-STD-883规范，是高可靠性航空航天和国防应用的理想解决方案。这种基于MEMS的Endura Super-TCXO可以在工厂编程为频率、稳定性、电压和牵引范围的任意组合。
Sitime 5346利用SiTime晶振独特的DualMEMS温度检测和TurboCompensation技术，在气流、温度扰动、振动、冲击和电磁干扰等环境压力下提供最佳动态性能，实现时序稳定性。该器件还集成多个片内调节器来过滤电源噪声，无需专用的外部LDO。
TCXO：SiT5346AC-FQ-33E0B19.123456T
VCTCXO：SiT5346AC-FQ-33VTB19.123456T
DCTCXO：SiT5346AC-FQG33JRB19.123456T
SiT1569是首款采用超小型1.5x0.8mm(1508)芯片级封装(CSP)的ULP、工厂可编程晶振，也是SiTime超小型振荡器新系列的一部分。该器件可以针对1Hz至462.5kHz范围内的任何频率进行编程。硅MEMS技术使得在芯片级封装中生产世界上最小的可编程参考时钟成为可能。
SiTime晶振的TempFlat MEMS™ 技术与我们的混合信号CMOS设计能力相结合，可在1.2mm2 芯片级封装中实现超低功耗、工厂可编程振荡器——这是世界上最小的封装。100kHz时的典型内核电源电流仅为3.3μA。SiT1569能够提供1Hz和462.5kHz之间的任何频率，可保证±50ppm的全包（初始和整个温度）频率稳定性。
半导体元件有望在产品的整个寿命期内可靠运行.选择可靠性等级最高的设备限制了故障组件在现场导致产品故障的可能性.SITIME晶振提供满足这一目标的振荡器,零微机电系统场故障超过2.5亿个单位.零场故障令人印象深刻,但工程师希望确保零件已经过充分的可靠性测试.衡量半导体元件可靠性的关键指标是平均故障间隔时间,即平均故障间隔时间.MTBF越高,器件的预期寿命越长,因此器件越可靠.本应用笔记描述了SiTime微机电系统振荡器的测试过程和预测平均温度系数的计算.
我们的硅是石英晶体振荡器设备质量的1/3000,因此耦合到我们设备上的振动能量要低得多,这使得它们对振动和其他环境条件更具免疫力,"SiTime晶振营销副总裁PiyushSevalia说.该公司认为,它在MEMS振荡器中占有90％的市场份额,这是时序市场中增长最快的部分,尽管它们通常比晶体设备更昂贵.
PCB板是电子产品的必需品,没有PCB板哪来的各种家电,网络等.电子设备采用印制板后,由于同类印制板的一致性,从而避免了人工接线的差错,并可实现电子元器件石英晶体振荡器自动插装或贴装,自动焊锡,自动检测,保证了电子设备的质量,提高了劳动生产率,降低了成本,并便于维修.同样有PCB板没有电子元器件一样无用,该篇文章康比电子介绍关于PCB的设计问题.
SITIME晶振微机电系统(MEMS)kHz振荡器是极小的低功耗32kHz器件,针对移动和其他电池供电应用进行了优化.硅MEMS技术实现了超小尺寸和芯片级封装.这些器件可实现更大的元件布局灵活性,并消除了外部负载电容,从而节省了额外的元件数量和电路板空间.SiTime采用NanoDrive™技术,这是一种工厂可编程输出,可降低电压摆幅,从而最大限度地降低功耗.还提供TempFlatMEMS™技术,该技术可在1.2mmx1.2mm的封装内实现首个32kHz±3百万分之一(ppm)超级TCXO.SiTime的MEMS振荡器包括一个MEMS谐振器和一个可编程模拟电路.kHzMEMS谐振器采用SiTime独特的MEMSFirst™工艺.关键制造步骤是EpiSeal™,在此期间MEMS谐振器的退火温度超过+1000°C.EpiSeal创造了一个极其牢固,干净的真空室来封装MEMS谐振器,可确保最佳的性能和可靠性
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