晶振全套技术语言解释,晶振术语

晶振此款电子元器件几乎是电子产品都能看到它的身影,无处不在, 同时作为电子产品的必需品,各电子行业的设计工程师在选用和设计电路板时,应该注意到每一个功能,以及每个产品的参数,不同的参数发挥着不同的性能,因此在选用晶振时要选择符合的参数.或许有些人对于相关的参数术语会有不太了解的,康比电子下面简述一下石英晶振的一些专业术语.

活动:与晶体单元的电阻相关的术语.据说具有低电阻的晶体单元具有良好的活性,而具有高电阻的晶体单元被认为具有不良活性.

活动倾向:用于描述突然增加,然后返回到晶体单元活动的先前水平的术语.有关此主题的技术说明,请参阅更完整的说明.

老化:随着时间的推移,石英晶体单元的频率和/或电阻的变化.

角度:从石英石相对于原始晶轴切割谐振器板的角度.切割角度对于晶体单元的性能至关重要,特别是在温度范围内的频率偏差区域.

AT切割:专门定向的谐振器板的商业名称,具有理想的和可重复的操作特性."AT切割"是目前制造的最受欢迎的厚度剪切晶体单元.

ATStrip:一种矩形条状的AT切割晶体.它具有比圆形AT切割晶体更高的ESR,但尺寸更小,因此允许更小的晶体封装.

轴:石英石中的方向.多个"轴"是"轴".

底座:水晶支架的下部.基座包括谐振器安装结构和引线或引脚,以将器件连接到外部电路.另见"持有人".

斜面:对谐振器板的一个或两个主面的修改,其中面被改变为具有部分球形结构.另请参阅"轮廓".

空白:石英谐振器板.也称为"晶圆","板"或"谐振器".

BTcut:专门定向的谐振器板的商业名称,具有众所周知且可重复的特性."BTcut"不如"AT"受欢迎.

C0:"分流电容"的缩写.

C1:"MotionalCapacitance"的缩写.运动电容通常也缩写为"Cm".

电容:由电介质隔开的两个导体表现出的特性,其中电荷存储在导体之间.电容以"法拉"测量,并由字母"C"标识.

电容器:无源电子电路元件,由最简单的形式组成,由电介质隔开的两个金属电极.

可以:看"封面"

CI:"晶体阻抗"的缩写,有时用来代替"电阻"一词.

CIM:"晶体阻抗计"的缩写.请参阅"测试集"

冷焊:冷却焊接的过程,其中基底和罐是不同的金属,它们被压在一起形成一种金属.

轮廓:对谐振器板的一个或两个主面进行修改,其中面被改变为具有完全球形的配置.另见"斜面".

耦合模式:一种不需要的模式,它以与所需模式相同的频率通电,从而从所需模式中消耗能量.

封面:晶体支架的上部,也称为"罐头".另见"持有人"

晶体:用于代替更完整表达"压电石英晶体单"的通用术语.

周期:完整重复一次事件.

偏差:数量与其名义价值的差异.就我们的目的而言,频率与标称频率或指定频率不同的数量.

露点:气体中可凝结成分开始凝结成液体的温度.

驱动电平:振荡晶体单元消耗的功率.通常用mW表示.

等效电路:下面所示的等效电路描述了以其固有谐振频率工作的石英晶体单元的电活动.CO或并联电容表示晶体电极的电容加上支架和引线的电容.R1,C1和L1构成晶体的"运动臂",并且被称为运动参数.运动电感(L1)表示晶体单元的振动质量.运动电容(C1)代表石英的弹性,电阻(R1)代表石英内发生的体积损失.

ESR:"等效串联电阻"的缩写.由于晶体单元具有电阻元件,因此需要该术语来定义和量化该特性.

蚀刻:用于制造某些类型晶体单元的工艺.蚀刻过程导致改善的表面状况和坯料频率的增加."蚀刻"一词也用于描述蚀刻过程中使用的材料,以及过程本身.

频率:在一个单位时间内定期重复事件.在电路中,一秒钟内通过给定点的波数.谐振器板在一秒钟内振荡或振动的次数.客户指定的标称或期望频率.

频率稳定性:在指定温度范围内的允许偏差,以百万分率(PPM)表示.偏差参考+25°C时的测量频率.

频率容差:在特定温度下,通常为+25°C时,与标称值的允许偏差,单位为百万分之一(PPM).

基本原理:谐振器板振荡的最低频率.该频率由板的物理尺寸决定.

几何形状:晶体单元中使用的谐振器板的形状.有三种几何形状可供选择:平面,轮廓和斜面.

亨利:电感的基本单位,用字母"H"表示.通过以每秒一安培的速率均匀变化的电流在闭合电路中产生一个亨利的电感.

赫兹:频率测量的基本单位,"赫兹"取代了"每秒周期"一词.用于表示一秒钟内完成一次事件.

Hz:单词"Hertz"的缩写.

支架:石英谐振器板的完整外壳.支架包括底座和盖子.

阻抗:电路或设备对交流电流的总反对.阻抗以"欧姆"为单位测量,用字母"Z"表示.