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SITIME的MEMS千赫兹温补晶体振荡器

2019-03-25 10:54:46 

MEMSkHz振荡器

SiTime的MEMSkHz温度补偿晶体振荡器(TCXO)是移动和其他电池供电应用的理想选择

我们是一群充满激情和执着的创新者,他们在时间上占据了巨人.几十年来,石英一直是行业的主导,我们决定改变这一点.我们的目的很明确:构建性能最高,最可靠的定时装置,小于针头.

我们已经占据了90%的MEMS时序市场,并且考虑到我们已经破坏的所有障碍,我们制造石英已经过时只是时间问题.这就是我们今天使用的计时设备的数量.它们放在口袋里的智能手机,桌面上的平板电脑,头盔上的摄像头,飞机上的驾驶舱以及家附近的地震检测系统中.

我们的产品提供电子产品的心跳.你无法看到它们,但没有它们,你的世界就无法运作.

MEMS kHz Oscillators

图片 制造商零件编号 描述 类型 电压 - 电源 频率稳定度
MEMS OSC XO 32.7680KHZ LVCMOS SIT1533AI-H4-DCC-32.768E MEMS OSC XO 32.7680KHZ LVCMOS XO(标准) 1.5V ~ 3.63V +100ppm
MEMS OSC XO 32.7680KHZ LVCMOS SIT1532AC-J5-DCC-32.768E MEMS OSC XO 32.7680KHZ LVCMOS XO(标准) 1.2V ~ 3.63V +75ppm
MEMS OSC XO 32.7680KHZ LVCMOS SIT1532AI-J4-DCC-32.768E MEMS OSC XO 32.7680KHZ LVCMOS XO(标准) 1.5V ~ 3.63V +100ppm
MEMS OSC TCXO 32.7680KHZ LVCMOS SIT1552AI-JF-DCC-32.768D MEMS OSC TCXO 32.7680KHZ LVCMOS TCXO 1.5V ~ 3.63V ±10ppm


SiTime微机电系统(MEMS)kHz振荡器是极小的低功耗32kHz器件,针对移动和其他电池供电应用进行了优化.硅MEMS技术实现了超小尺寸和芯片级封装.这些器件可实现更大的元件布局灵活性,并消除了外部负载电容,从而节省了额外的元件数量和电路板空间.SiTime采用NanoDrive™技术,这是一种工厂可编程输出,可降低电压摆幅,从而最大限度地降低功耗.还提供TempFlatMEMS™技术,该技术可在1.2mmx1.2mm的封装内实现首个32kHz±3百万分之一(ppm)超级TCXO.

SiTime的MEMS振荡器包括一个MEMS谐振器和一个可编程模拟电路.kHzMEMS谐振器采用SiTime独特的MEMSFirst™工艺.关键制造步骤是EpiSeal™,在此期间MEMS谐振器的退火温度超过+1000°C.EpiSeal创造了一个极其牢固,干净的真空室来封装MEMS谐振器,可确保最佳的性能和可靠性.

特性

• 超小芯片级封装:1.5mmx0.8mm

• 纳米功率

• 工作电压低至1.2V

• 无需负载或者VDD滤波电容

• 温度稳定性

• 超低功耗

• 低抖动

• 能够驱动多个负载

• 模拟前端(AFE)参考时钟

• 工业数据记录器

• 油气勘探

• 工业自动化

• 无线鼠标

• 无线键盘

• 脉冲/秒(pps)计时

• 电池管理计时

应用

• 智能手机

• 平板电脑

• 健康和保健监视器

• 健身手表

• 运动视频摄像机

• 无线键盘

• 实时时钟(RTC)

• 医疗监控

• 远程检测

• 资产跟踪

• 家居自动化

• 健身跟踪器

• 智能农业

• 无线连接睡眠时钟


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